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STM32掉電檢測(cè)+Flash存取

作者: 時(shí)間:2016-11-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
STM32有PVD的掉電檢測(cè)功能,flash也可以直接存?。痪蛣?dòng)了用flash掉電保存參數(shù)的念頭。
1、搞定Flash擦、寫(xiě)函數(shù)。
voidF_ErasePage(u32Page_Address)
{
U32tmp;
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{//PutCnstStr2Usart1("waitingn");}
FLASH->SR|=FLASH_FLAG_PGERR;
FLASH->CR|=CR_PER_Set;
FLASH->AR=Page_Address;
FLASH->CR|=CR_STRT_Set;
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{//PutCnstStr2Usart1("waitingn");}
FLASH->CR&=~CR_PER_Set;//這個(gè)不能忘
}
voidFLASH_Program(u32Address,u16Data)
{
U32tmp;
Fstart:
if((FLASH->CR&CR_LOCK_Set)==CR_LOCK_Set)//如果寫(xiě)被鎖死
{
FLASH->KEYR=FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;
//PutCnstStr2Usart1("Unclockn");
}
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{
//PutCnstStr2Usart1("waitingn");
}
FLASH->CR|=CR_PG_Set;
*(vu16*)Address=Data;
FLASH->CR&=~CR_PG_Set;
if((FLASH->SR&FLASH_FLAG_PGERR)==FLASH_FLAG_PGERR)
{
//PutCnstStr2Usart1("Noearasen");
F_ErasePage(Address);
gotoFstart;//竟然用了goto,咳咳^_^
}
}
有了這兩個(gè)函數(shù)基本就行了,反正一次要擦一個(gè)page,全拿過(guò)來(lái)保存參數(shù)就行了,比較可靠。
U16constflashdata[1024]__at(0x08001000);//因?yàn)閒lash一次能且只能寫(xiě)16bit,另外訪(fǎng)問(wèn)奇地址會(huì)出錯(cuò)。
還有不要忘了#include,絕對(duì)定位全靠它了。
將要保存的參數(shù)放到一個(gè)結(jié)構(gòu)里面,每次上電復(fù)位的時(shí)候加載,需要存儲(chǔ)時(shí)寫(xiě)入flash
2、搞定掉電檢測(cè)

voidPVD_Init(void)
{
NVIC_InitTypeDefNVIC_InitStruct;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannel=PVD_IRQChannel;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority=0x00;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelSubPriority=0x00;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelCmd=ENABLE;
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_TIM2|RCC_APB1Periph_TIM3|
RCC_APB1Periph_TIM4|RCC_APB1Periph_USART2|RCC_APB1Periph_PWR,ENABLE);//_PWR,ENABLE);//這個(gè)是必需的
PWR->CR|=1<<4;//使能
PWR->CR|=0xE0;//2.9V檢測(cè)
NVIC_Init(&NVIC_InitStruct);//借用一下庫(kù),允許中斷
}
寄存器設(shè)置有效,手動(dòng)置相應(yīng)中斷標(biāo)志可進(jìn)入中斷
3、聯(lián)合工作,失敗
voidPVD_IRQHandler(void)
{
U16i;
U32tmp;
tmp=0x08001000;

if((PWR->CSR&PWR_FLAG_PVDO)==PWR_FLAG_PVDO)//低于閾值(電壓回升也會(huì)中斷)
{
F_ErasePage(tmp);
for(i=0;i<2000;i++)
{
FLASH_Program(tmp,i);
tmp+=2;
}
}

}
分析:1、Vdda經(jīng)過(guò)LC濾波可能會(huì)比Vdd掉的慢,而據(jù)說(shuō)stm32會(huì)因此產(chǎn)生檢測(cè)問(wèn)題。2、電源回路電容量小,時(shí)間來(lái)不及。
嘗試:從ATX電源上拆了一個(gè)1000uF的電容,接上,無(wú)改善。
思考:把掉電檢測(cè)跟電源腳做在一起實(shí)在意義不大,一般情況下MCU的電源都是經(jīng)過(guò)LDO穩(wěn)壓的,掉電檢測(cè)使用專(zhuān)門(mén)的IO,可以用穩(wěn)壓器前的電壓用于檢測(cè)。
由于目前還不能對(duì)電路板進(jìn)行破壞性改造,手頭也沒(méi)有示波器,可調(diào)電源,暫時(shí)放棄對(duì)此做進(jìn)一步的研究。
套用某大人物的邏輯,這次嘗試是部分失敗


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