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改進型雙電源光電耦合上管驅動電路

作者: 時間:2016-11-14 來源:網(wǎng)絡 收藏

合上管驅動電路

在上述雙電源合上管驅動電路方案中,使用光耦的輸出直接驅動MOS管,這樣會使輸出波形嚴重變形,尤其是波形的下降沿比較緩慢,這主要是由MOS管的G極和s極之間的電容引起的。輸出波形為高電平時,給G和s之間的電容充電,使波形上升略緩慢;輸出波形變低時,G和s之間的電容通過Rl放電,使MOS管的G極電位下降緩慢,導致了波形下降沿劇烈變形。鑒于MOS管G極和s極之間存在的電容是無法消除的,在借鑒了單片機口線上拉驅動電路的基礎上,我們改進了上述的驅動方案,方案如圖6所示。

圖6 合上管驅動電路
Fig.6 Advanced H-bridge with Double Power Supplies and Optoisolator

在改進方案中,光耦的輸出驅動Ql,Q2組成的差動電路,再由差動電路輸出驅動MOS管。由于三極管的極間電容很小,光耦的輸出波形變形就很?。徊⑶也顒庸艿尿寗幽芰軓?,驅動MOS管時可以使信號變形很小。

這種驅動電路仍然使用了光耦作為兩路電源系統(tǒng)的隔離接口,由于光耦的耦合速度受到限制不可能很快,因此這種方案在PWM頻率較高時,波形也會發(fā)生部分變形。頻率越高變形越多,如圖7為PWM頻率10 k時的波形失真,圖8為PWM頻率20 k時的波形失真。由圖8可以發(fā)現(xiàn),即使在20 k頻率時,輸出波形相比輸入波形也只發(fā)生了很小失真,因此這種方案在EPS上管驅動中完全適用。

圖8 改進型驅動電路的信號畸變(頻率20 k)



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