中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”)，中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)，與阻變式存儲器(RRAM)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與制造達成戰(zhàn)略合作協(xié)議。

　　作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將幫助客戶將低延時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費電子、工業(yè)及汽車電子市場需求。

　　“Crossbar產(chǎn)品持續(xù)按計劃推進，目前正在授權(quán)階段。我們很榮幸宣布與中芯國際的合作，這是我們的RRAM技術(shù)實現(xiàn)商業(yè)化的重要一步。”Crossbar CEO及聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian表示，“高度集成的MCU及SoC設(shè)計者需要非易失性存儲器技術(shù)，此技術(shù)能夠更加便捷地集成到他們的產(chǎn)品中去并且能夠應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯制程制造。Crossbar的RRAM技術(shù)與中芯國際專業(yè)制造能力的結(jié)合將創(chuàng)造獨特的存儲器架構(gòu)，安全性更嚴(yán)格，功耗更低，同時提供更大容量和更快的進入時間。”

　　Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對更小工藝尺寸的可擴展性使非易失性存儲器組件在更低工藝節(jié)點的MCU和SoC中集成成為可能。RRAM元件能夠集成到標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯工藝當(dāng)中，在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓的兩條金屬線之間。這將促成高度集成的非易失性存儲器解決方案的實現(xiàn)，將片上非易失性存儲器、處理器核、模擬及射頻集成在一個單獨的芯片上。

　　“基于中芯國際40納米技術(shù)節(jié)點，我們能夠為客戶提供應(yīng)用于智能卡和多種物聯(lián)網(wǎng)器件的高容量、低功耗且具有獨特安全性的存儲器技術(shù)。”中芯國際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，“我們很高興與Crossbar在中芯國際穩(wěn)定可靠的40納米技術(shù)平臺上展開合作。我們能夠為全球客戶提供具有競爭力的技術(shù)，幫助他們縮短入市時間。我們也致力于與更多世界領(lǐng)先的公司展開長期戰(zhàn)略合作，共同服務(wù)市場并在未來實現(xiàn)共贏。”

　　Crossbar的RRAM技術(shù)為需要低功耗、高性能非易失性代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲功能的嵌入式應(yīng)用提供具有性價比的集成存儲器解決方案。