傳統(tǒng)的第一代電感升壓型背光驅動采用的是外接反饋電阻的方式設定LED電流。其典型應用圖如圖5所示。這種架構在應用時如果反饋電阻的地和背光驅動芯片的地PCB共地不好，背光驅動芯片的地和反饋電阻的地波動幅度或者方向不一致的話，就會導致反饋電阻上的電壓波動而閃屏。而且屏幕亮度越暗，反饋電壓越小，閃屏的風險越大。

圖5：傳統(tǒng)電感升壓型背光驅動典型應用圖。

作為第二代電感升壓型背光驅動，上海艾為的電感升壓型背光驅動采用的是恒流和恒壓雙反饋環(huán)路--在傳統(tǒng)的恒壓控制環(huán)路上增加了一個內置Q-Mirror的恒流控制環(huán)路。恒流環(huán)路產生恒定的輸出電流;恒壓環(huán)路產生最低的輸出電壓。雙環(huán)路的控制方式更合理且不受地波動對LED輸出電流的影響，完全沒有第一代電感升壓型背光驅動存在的閃屏風險。

第一代電感升壓型背光驅動在關斷狀態(tài)還存在一個從電源經過LED串和反饋電阻到地的通路而導致漏電;而AW9910/AW9920在關斷狀態(tài)Q-Mirror會關閉，LED陰極到地呈高阻狀態(tài)，從而切斷了漏電通路。

射頻信號對電感升壓型背光驅動產生的干擾及應對

射頻信號尤其是GSM信號在工作時會產生間歇的突發(fā)電流和很強的EMI輻射。間歇的突發(fā)電流還會形成217Hz的電源波動。217Hz的電源波動會通過傳導耦合到電感升壓型背光驅動的電源輸入端。900MHz和1800MHz的高頻射頻信號形成217Hz的射頻包絡信號，這些高頻的射頻包絡信號會干擾反饋引腳，甚至是穿透封裝干擾芯片內部的關鍵電路節(jié)點，從而引起閃屏。

上海艾為的第二代電感升壓型背光驅動均采用了RNS(射頻噪聲抑制)技術。通過內部的特有電路架構和電路設計對傳導和輻射干擾進行全方位的抑制，有效提高了閃屏的抑制能力。

上海艾為的智能機背光驅動系列

AW9910STR/DRN和AW9920STR/DNR是上海艾為全新的電感升壓型背光驅動。它們采用艾為獨創(chuàng)的EMI抑制技術和PWM轉恒流調光技術最大程度減小了噪聲輻射。集成Q-Mirror架構的恒流和恒壓雙反饋控制環(huán)路及RNS技術，使LED的恒流輸出電流更加穩(wěn)定，更不易受干擾。AW9910和AW9920均同時支持SOT23-5L封裝和封裝熱阻更小的DFN2x2-8L封裝。其中，AW9920的典型應用圖如圖6所示。

圖6:AW9920典型應用圖。

上海艾為的背光驅動產品線是業(yè)界最豐富的產品線之一，針對智能機的大屏背光驅動主要產品見表1.

表1：上海艾為智能背光驅動系列。

本文小結

智能機興起使大屏和高清高亮屏成為了手機屏幕的主流，而電感升壓型背光驅動逐漸成為了大屏背光驅動的主流背光驅動。但射頻干擾和閃屏是電感升壓型背光驅動經常會碰到而且很難解決的兩個問題。本文分析了這兩個問題的產生來源、芯片內部如何盡可能的減少EMI的輻射以及采用創(chuàng)新的背光驅動架構解決閃屏的問題。另外，在PCB的設計上也提出了與之相關的建議，以幫助設計人員設計出能滿足性能更優(yōu)的智能機背光驅動模塊。