首先將mIC置于離低音單元錐盆底5cm的地方， 采用8000Hz的采樣率，32768的MLS長(zhǎng)度，測(cè)出單元近場(chǎng)的頻響曲線。并點(diǎn)擊S1儲(chǔ)存。

　　第二步，測(cè)量倒相管處的近場(chǎng)頻響曲線，并存于S2。mIC置于面板開孔處

　　第三步，使用合并/增加菜單合并上面兩曲線，下調(diào)倒相管曲線8.6db以使兩曲線吻合

　　合并方法是使兩曲線在低于倒相管諧振頻率下重合，所以下調(diào)了倒相管曲線8.6db刻度。點(diǎn)擊S3保存。

　　第四步，遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量箱子的中高頻頻響曲線，MIC置于離面板60cm的地方

　　首先將取樣頻率改至48000Hz(是SB聲卡的最佳頻率)，offset=60cm，length(時(shí)間窗)=7ms，測(cè)得下圖，并點(diǎn)擊S4保存。

接地電阻相關(guān)文章:接地電阻測(cè)試方法

上一頁(yè) 1 2 下一頁(yè)