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基于多晶鑄錠工藝的準單晶技術系統(tǒng)性總結

作者: 時間:2012-04-20 來源:網絡 收藏

  2.量產決定性因素

  (1)可行的路線。如果開發(fā)出的沒有可行的路線,產品將只能處于實驗室階段;

  (2)是穩(wěn)定的控制方法;

  (3)精準熔化控制設備;

 ?。?)低廉的改造成本及生產成本,即在原有鑄錠爐的基礎上實現轉型,從而降低成本。

五,流程

工藝流程圖
工藝流程圖

  將直拉法得到的(100)晶向單晶棒進行開方,得到斷面尺寸為156×156mm 的方柱,將其切成40~50mm 厚的塊狀籽晶。將25 塊籽晶按5×5 的方式緊密排列平鋪在內部尺寸為840×840×400mm 的標準石英坩堝內。在坩堝底部,放置時盡量使籽晶居中,即周邊籽晶的最邊沿面距坩堝內壁尺寸相近。籽晶上面再放置原生多晶,包括籽晶在內共裝料430kg,摻雜劑為硼、稼或磷,摻雜后目標晶體的電阻率為1.50~2.0Ω.cm。裝料后抽真空,控制功率進行加熱;進入熔化階段后,采用溫度控制分段加溫,到熔化最后一步將加熱器控制溫度調節(jié)至1540℃,保持至籽晶熔化階段,待坩堝底部溫度為1350℃,且底部升溫速率為0.07℃/min 上下時,結束熔化步驟,跳轉至長晶階段。進入長晶階段,快速將溫度由1540℃降至1440℃,并關閉隔熱板(籠)保持1h,之后將隔熱板(籠)快速打開5cm,底部散熱實現定向凝固,待界面生長平穩(wěn)后,再分段將溫度降1415℃,隔熱板(籠)打開速度先后按0.5cm/h、0.7cm/h 的速度打開至20cm,達到穩(wěn)定長晶。

  將上述長成后的硅晶體,經退火、冷卻得到硅錠。


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