開關(guān)電流電路延遲線的設(shè)計
3.2 傳輸誤差的改善
傳輸誤差產(chǎn)生的原因是當(dāng)電路級聯(lián)時,因為傳輸?shù)氖?a class="contentlabel" href="http://m.ptau.cn/news/listbylabel/label/電流">電流信號,要想信號完全傳輸?shù)较乱患?,必須做到輸出阻抗無窮大,但在實際中是不可能實現(xiàn)的,只能盡可能地增加輸出阻抗。
計算出輸出電阻為:

與第二代基本存儲單元相比,輸出電阻增大

采用O.5μm CMOS工藝,level 49 CMOS模型對電路仿真,仿真參數(shù)如下:
所有NMOS襯底接地,所有PMOS襯底接電源,所有開關(guān)管寬長比均為0.5μm/O.5 μm。輸入信號為振幅50μA,頻率為200 kHz的正弦信號,時鐘頻率為5 MHz,Vref=2.4 V,VDD=5 V。表1中給出了主要晶體管仿真參數(shù)。
將原電路按照延遲線的結(jié)構(gòu)連接并仿真,延遲3個時鐘周期(相當(dāng)于6個基本存儲單元級聯(lián)),仿真結(jié)果如圖l所示。
4 結(jié)語
詳細(xì)分析了第二代開關(guān)電流存儲單元存在的缺點(diǎn),提出了改進(jìn)方法,并設(shè)計了可以延遲任意時鐘周期的延遲線電路,仿真結(jié)果表明,該電路具有極高的精度,從而使該電路能應(yīng)用于實際當(dāng)中。其Z域傳輸函數(shù)為,在實際應(yīng)用中,該電路可作為離散時間系統(tǒng)的基本單元電路。
由于開關(guān)電流技術(shù)具有與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容的特點(diǎn),整個電路均由MOS管構(gòu)成,這一技術(shù)在以后的數(shù)?;旌霞呻娐分袑⒂袕V闊的發(fā)展前景。
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