如圖6（a）所示，V1、V2為互補(bǔ)工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。導(dǎo)通時(shí)隔離變壓器上的電壓為（1－D）Ui、關(guān)斷時(shí)為DUi，若主功率管S可靠導(dǎo)通電壓為12V，則隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/（1－D）/Ui。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。實(shí)驗(yàn)波形見圖7（a）。該電路具有以下優(yōu)點(diǎn)：

　　①電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單可靠，具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變化時(shí)，驅(qū)動(dòng)的關(guān)斷能力不會(huì)隨著變化。

　　②該電路只需一個(gè)電源，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動(dòng)的管子時(shí)提供一個(gè)負(fù)壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，且有較高的抗干擾能力。

　　表1不同占空比時(shí)toff的變化情況

　　但該電路所存在的一個(gè)較大缺點(diǎn)是輸出電壓的幅值會(huì)隨著占空比的變化而變化。當(dāng)D較小時(shí)，負(fù)向電壓小， 該電路的抗干擾性變差，且正向電壓較高，應(yīng)該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓。當(dāng)D大于0.5時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓正向電壓小于其負(fù)向電壓，此時(shí)應(yīng)該注意使其負(fù)電壓值不超過MOSFET柵極的允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場(chǎng)合。

　　6（b）為占空比大于0.5時(shí)適用的驅(qū)動(dòng)電路，其中Z2為穩(wěn)壓二極管，此時(shí)副邊繞組負(fù)電壓值較大，Z2的穩(wěn)壓值為所需的負(fù)向電壓值，超過部分電壓降在電容C2上，其實(shí)驗(yàn)波形見圖7（b）。