C8051F35X單片機內(nèi)部Flash存儲器的擦寫方法
2 Flash存儲器的鎖定與解鎖
在Flash操作之前,必須按順序向Flash鎖定和關(guān)鍵碼寄存器(FLKEY)寫入正確的關(guān)鍵碼,該關(guān)鍵碼禁止對知識產(chǎn)權(quán)信息(以程序或常數(shù)形式存儲在Flash中)進行未經(jīng)授權(quán)訪問或防止用戶無意修改程序代碼以及因系統(tǒng)條件異常導致代碼改變。寫關(guān)鍵碼時必須按順序?qū)?,否則Flash寫入或擦除操作被禁止,直到下一次系統(tǒng)復位。存儲在Flash用戶空間的最后一個字節(jié)的安全鎖定字節(jié)保護Flash存儲器,使其不被非保護代碼或通過硬件接口讀寫或擦除。使用安全鎖定字節(jié)時有以下關(guān)鍵點:1)將Flash安全字節(jié)中的位設置為0,保護Flash存儲器不通過JTAG接口被訪問;2)采用軟件設置一個軟件讀訪問限制,保護存儲器不被讀取;3)已被軟件訪問保護的Flash存儲器也應用Flash安全字節(jié)進行保護。使其不通過JTAG接口訪問;4)在保護Flash時,包含F(xiàn)lash安全字節(jié)的Flash頁也應保護;5)如果最終用戶無需訪問Flash,可通過簡單鎖定整個Flash存儲器保護其不通過JTAG訪問。
3 Flash數(shù)據(jù)擦除
采用軟件MOVX指令對Flash存儲器編程,在使用MOVX指令前,先允許Flash寫操作,其過程為:1)將程序存儲寫允許位PSWE(PSCTL.0)設置為邏輯“1”,這將使MOVX操作指向目標Flash存儲器;2)按順序向Flash鎖定寄存器(FLKEY)寫入Flash關(guān)鍵碼,PSWE位將保持置位狀態(tài),直到被軟件清除。
在采用軟件修改Flash內(nèi)容前,PSWE必須置為邏輯“l(fā)”;而在軟件擦除Flash存儲器前,PSWE位和PSEE位都必須置為邏輯“1”。寫入Flash存儲器操作可清除數(shù)據(jù)位,但不能使數(shù)據(jù)位置“1”,只有擦除操作能將Flash中的數(shù)據(jù)位置為“l(fā)”。所以在寫入新值前,必須先擦除待編程地址。Flash存儲器是以512字節(jié)的扇區(qū)為單位構(gòu)成的,一次擦除操作將擦除整個扇區(qū)(將扇區(qū)內(nèi)的所有字節(jié)置為OXFF)。
擦除一個扇區(qū)的步驟如下:1)禁止中斷;2)置“l(fā)”程序存儲器擦除允許位(PSCTL中的PSEE),以允許Flash扇區(qū)移除:3)置“1”程序存儲器寫允許位(PSCTL中的PSWE),允許Flash寫入;4)向FLKEY寫第1個關(guān)鍵碼:0XA5;5)向FLKEY寫第2個關(guān)鍵碼:0XFl;6)用MOVx指令向待擦除頁內(nèi)的任何一個地址寫入1個數(shù)據(jù)字節(jié);7)清除PSWE和PSEE位;8)重新允許中斷。
4 Flash數(shù)據(jù)寫入
Flash存儲器可一次寫1個字節(jié),也可一次寫1組字節(jié),寄存器PFEOCN中的FLBWE位為一次Flash寫操作可寫入1個或2個字節(jié)。當FLBWE清零時,每次Flash寫操作寫入1個字節(jié);當FLBWE位置為“1”時,每次Flash寫操作寫入2個字節(jié)(塊寫)。塊寫時間與單字節(jié)寫的時間相同,在向Flash存儲器寫入大量數(shù)據(jù)時可節(jié)省時間。在單字節(jié)寫Flash時,分別寫入字節(jié)數(shù)據(jù),每個MOVX寫指令執(zhí)行一次Flash寫操作。C805lF35X的Flash存儲器寫入程序代碼如下:
5 Flash數(shù)據(jù)讀取
由于Flash讀操作采用MOVC指令實現(xiàn),因此用于讀操作的Flash指針必須是CODE類型。由于Flash寫操作是用MOVX指令實現(xiàn)的,所以寫入或擦除操作的Flash指針必須是XDATA類型。對于C8051F35X的Flash存儲器讀取數(shù)據(jù)程序代碼如下:
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