基于TSC控制技術的可控硅開關分析
加入技術交流群
2．2 電抗器的選擇
關于串聯(lián)電抗器的選擇，GB 50227—1995《并列電容器裝置設計規(guī)范》規(guī)定中第5．5．2．2條“用于抑制諧波，當并列電容器裝置接入電網(wǎng)處的背景諧波為5次及以上時，宜取4．4％～6％”，當并列電容器裝置接入電網(wǎng)處的背景諧波為3次及以上時，宜取12％。
綜上可知電抗器的電抗率k為
wL=k／wC (2)
即
k=w2LC (3)
3 實驗分析
從圖2可以看出，消弧線圈二次側(cè)額定電壓為220 V。一般情況下，不僅是可控硅，包括所有的高壓設備，在選型時都需留有一定的裕度，應至少取峰值的3倍。因此可得出應選晶閘管的額定電壓為220××3≈1 000 V。文中在此選擇額定電壓為1 600 V的可控硅。本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/159291.htm
電抗器相關文章:電抗器原理
評論