實際上，可以將MOS管的漏極D和源極S當作一個受柵極電壓控制的開關(guān)來使用：當VGS>VT時，漏極D與源極S之間相當于連接了一個小阻值的電阻，這相當于開關(guān)閉合；當VGSVT時，漏極D與源極S之間為反向PN結(jié)所隔開，此時相當于開關(guān)斷開。
由于MOSFET是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動功率小，而且驅(qū)動電路簡單。同時，輸入電路的功耗可大大減小，有助于控制并實現(xiàn)最大功率。場效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，適宜于在環(huán)境條件變化比較劇烈的情況下。另外，它還具有較高的開啟電壓(即閾值電壓)，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力。MOSFET通常由于具有較寬的安全工作區(qū)而不會產(chǎn)生熱點和二次擊穿。由于該器件有一個零溫度系數(shù)的工作點，即當柵極電壓在某一合適的數(shù)值時，ID不受溫度變化的影響，因而具有很好的熱穩(wěn)定性。

2 D類MOSFET在射頻功放中的應(yīng)用
現(xiàn)以美國哈里斯(HARRIS)公司研發(fā)的數(shù)字化調(diào)幅(DIGITAL AMPLITUDE MODULATION)發(fā)射機為例，來說明D類MOSFET在射頻功放中的應(yīng)用。
數(shù)字調(diào)幅就是將控制載波電平和音頻調(diào)制的模擬信號首先轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，再經(jīng)過編碼變成控制射頻功放模塊開通和關(guān)斷的控制信號，通過控制相應(yīng)數(shù)目的射頻功放模塊的開通或者關(guān)斷數(shù)量來實現(xiàn)調(diào)幅。DAM發(fā)射機取消了傳統(tǒng)的高電平音頻功放，而且所有的射頻功率放大器均工作于D類開關(guān)狀態(tài)，故其整機效率明顯高于其它制式的發(fā)射機，典型效率可達到86％。圖3所示為DX一200型DAM發(fā)射機的射頻功率放大器模塊的原理方框圖。