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內(nèi)嵌XPM存儲(chǔ)器RFID高頻接口模塊設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2010-09-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  2.6 調(diào)制電路

  調(diào)制電路如圖 7 所示。MOD_DATA 是數(shù)字邏輯輸出的調(diào)制數(shù)據(jù)信號(hào).用來控制M5 管和M6 管的通斷.從而改變天線兩端的并聯(lián)諧振電路阻尼的強(qiáng)弱,實(shí)現(xiàn)幅度調(diào)制的功能.來完成從 tag 到讀卡機(jī)的數(shù)據(jù)傳輸。


  圖7 調(diào)制電路

  3. 電路仿真結(jié)果

  從圖 8 的仿真結(jié)果來看: 電路在10%和100% ASK 調(diào)制模式下,電路都能正確的解調(diào)出正 確的讀卡機(jī)發(fā)出來的指令. 并且產(chǎn)生20us 的POR 信號(hào). 在tag 返回?cái)?shù)據(jù)的時(shí)候, 電路的 modulator 功能正確,可以在天線上產(chǎn)生大于10%的ASK 調(diào)制,從而使返回的數(shù)據(jù)可以被讀卡 器接收.圖9 是tag 返回?cái)?shù)據(jù)的數(shù)據(jù)和天線的波形圖。


  圖8 100%和10% ASK 調(diào)制仿真結(jié)果


  圖9 調(diào)制的數(shù)據(jù)和天線的波形圖

  4.結(jié)論

  基于 SMIC 0.18um one poly four metal 標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝的符合ISO15693 國(guó)際標(biāo) 準(zhǔn)協(xié)議的 射頻前端電路. 電路仿真的結(jié)果表明: 此射頻前端電路可以有效地從 13.56MHz 的RF 信號(hào)中恢復(fù)出直流電壓1.8v, 并提出數(shù)字部分需要的時(shí)鐘,和解調(diào)出指令數(shù) 據(jù).整個(gè)芯片的版圖照片如圖10 所示.芯片的面積為960um*600um.流片后測(cè)試發(fā)現(xiàn)在7.5A/m 場(chǎng)強(qiáng)下可以工作在12CM.滿足規(guī)格要求。


  圖 10 整個(gè)芯片的照片

  本文作者創(chuàng)新點(diǎn):在標(biāo)準(zhǔn)0.18um CMOS process 上實(shí)現(xiàn)了滿足ISO15693 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的 射頻前端電路的,并流片驗(yàn)證通過。而且成功的把 技術(shù)(標(biāo)準(zhǔn)CMOS 的One time program memory)集成到RFID 芯片中, 實(shí)現(xiàn)了世界上第一次采用 技 術(shù)成功的RFID 芯片


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