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關(guān)于移動(dòng)便攜設(shè)備應(yīng)用的ESD設(shè)計(jì)考量

作者: 時(shí)間:2011-12-16 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

智能手機(jī)的廣泛興起和其種類繁多的、更快的網(wǎng)絡(luò)速度、以及更加實(shí)惠的數(shù)據(jù)計(jì)劃現(xiàn)已經(jīng)使社交網(wǎng)絡(luò)比桌面社交網(wǎng)絡(luò)更加流行。同時(shí),許多已經(jīng)演變成小型多功能性的計(jì)算,已經(jīng)能夠執(zhí)行非常多樣化的任務(wù)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/155434.htm

  為滿足日益復(fù)雜的用戶的需求,導(dǎo)致更多的輸入/輸出(I/O)互連的集成。更高的電流密度、更小的晶體管幾何形狀、以及有限的用于芯片保護(hù)的可用空間都將導(dǎo)致增加電子元件對(duì)諸如靜電放電()等瞬態(tài)電氣過(guò)載事件的敏感性。對(duì)于這些有高數(shù)據(jù)流的,減少這些瞬態(tài)情況的事件的影響以防止現(xiàn)場(chǎng)輸入和設(shè)備輸出的數(shù)據(jù)損壞是一種重要的

  傳統(tǒng)上的保護(hù)一般有各種齊納二極管、金屬氧化物可變電阻(MOV)和瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)。然而,由于USB3.0、HDMI 1.3/1.4、eSATA接口、Display Port和數(shù)字視頻接口(DVI)的高數(shù)據(jù)傳輸速率,傳統(tǒng)保護(hù)器件的寄生阻抗可能會(huì)扭曲和惡化信號(hào)的完整性。

  正如圖1所示, 最新一代的硅(SESD)保護(hù)器件可在空間受限的式電子產(chǎn)品和手機(jī)中提供一種合適的ESD保護(hù)解決方案,可以幫助設(shè)備通過(guò)IEC61000-4–2的第4級(jí)測(cè)試。這些器件較前一代元件小大約70%。其低電容、低插損和高線性度的電容與頻率比,也有利于最大限度地減少信號(hào)衰減。

  SESD元件由于其低電容量適用于各種高數(shù)據(jù)速率的應(yīng)用

  圖1、SESD元件由于其低電容量適用于各種高數(shù)據(jù)速率的

  ESD基本知識(shí)

  一個(gè)ESD事件是在兩個(gè)帶有不同靜電電位的物體之間發(fā)生的能量相互傳遞,通過(guò)接觸、電離放電或火花放電來(lái)完成。材料類型、接觸面積、分離速度、相對(duì)濕度和其他因素影響著由摩擦產(chǎn)生的電荷總量。一旦在一種材料中有電荷出現(xiàn),它就會(huì)變成一個(gè)“靜電”電荷。這些電荷可能從材料中轉(zhuǎn)移,激發(fā)ESD事件的發(fā)生。

  靜電的主要來(lái)源大多數(shù)是絕緣體和典型的合成材料,例如:乙烯樹(shù)脂、塑料工作平臺(tái)、絕緣鞋、成型的木制椅子、透明粘膠帶、氣泡袋和不直接接地的焊錫烙鐵。

  如圖2所示:這是一個(gè)典型的ESD的特性曲線。為了模擬此類接觸放電事件,一臺(tái)ESD發(fā)生器產(chǎn)生了一個(gè)ESD脈沖到正處于測(cè)試的器件上。這類測(cè)試的特點(diǎn)是極短的上升時(shí)間和低于100ns的脈沖持續(xù)時(shí)間,是一個(gè)低能量的靜電脈沖。這些放電事件產(chǎn)生的電壓水平可能極高,因?yàn)樗鼈兊碾姾墒遣粫?huì)輕易通過(guò)其表面或向其他物體分散。

  ESD發(fā)生器模擬的典型8KV的ESD脈沖

  圖2、ESD發(fā)生器模擬的典型8KV的ESD脈沖


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