碳化硅(SiC)功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出支持業(yè)界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面認證的SPICE模型。新型SPICE模型能夠幫助電路設(shè)計人員輕松地進行效益評估。與同級別的傳統(tǒng)硅功率開關(guān)器件相比，科銳碳化硅Z-FET  MOSFET功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率。

　　科銳碳化硅MOSFET器件擁有與傳統(tǒng)硅器件顯著不同的特點，因此需要一個具有碳化硅特性的模型進行精確的電路仿真。基于科銳技術(shù)且不受溫度影響的SPICE模型能夠與LTspice仿真程序兼容，使得電力電子設(shè)計工程師能夠在電路系統(tǒng)設(shè)計中可靠地仿真評估科銳CMF10120D 和CMF20120D Z-FET器件先進的開關(guān)性能。

　　科銳碳化硅MOSFET器件的開關(guān)頻率較采用 IGBT 的解決方案可高出10倍。由于擁有更高的開關(guān)頻率，便能夠使用較小磁性和電容性的元件，從而可以減小電力電子系統(tǒng)的整體尺寸，降低重量和成本。

　　科銳碳化硅MOSFET SPICE模型作為科銳全套產(chǎn)品之一，與輔助工具、技術(shù)文件以及可靠性信息一起，為電力電子工程師提供必要的設(shè)計資源，從而推動碳化硅功率器件在新一代電源系統(tǒng)中的應(yīng)用。