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三洋電機(jī)厚98μm薄型HIT單元轉(zhuǎn)換效率達(dá)到23.7%

—— 三洋電機(jī)的研發(fā)正向在維持轉(zhuǎn)換效率的情況下以單元薄型化來(lái)降低成本轉(zhuǎn)移
作者: 時(shí)間:2011-09-12 來(lái)源:光伏制造 收藏

  采用98μm厚的薄型Si單元的HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer),實(shí)現(xiàn)了23.7%的轉(zhuǎn)換效率。該公司2009年9月發(fā)布的22.8%的轉(zhuǎn)換效率(厚度為98μm)又提高了0.9個(gè)百分點(diǎn)。超過(guò)了該公司在2009年2月發(fā)布,目前最高的轉(zhuǎn)換效率23.0%(厚度在200μm以上)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/123455.htm

  轉(zhuǎn)換效率的提高主要得益于以下三點(diǎn):(1)改進(jìn)透明導(dǎo)電膜(TCO),提高了孔遷移率;(2)改進(jìn)布線部分,減小了布線暗影的影響,同時(shí)降低了電阻值; (3)提高對(duì)短波長(zhǎng)光的反應(yīng),減小了光學(xué)損失。上述改進(jìn)措施的具體方法均未透露。

  通過(guò)上述改進(jìn),開(kāi)路電壓(Voc)達(dá)到745mV、短路電流(Isc)達(dá)到3.966A、填充系數(shù)(FF)達(dá)到80.9%。單元面積為100.7cm2。此次轉(zhuǎn)換效率的測(cè)定是由產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所在2011年5月31日實(shí)施的。

  發(fā)布會(huì)之后的提問(wèn)中,有人詢問(wèn)在普通厚度的單元上應(yīng)用此次成果的情況。對(duì)此,表示“我們?cè)谘邪l(fā)中一直致力于降低成本,因此現(xiàn)有厚度的單元沒(méi)有試用此次的成果”。結(jié)晶硅型的轉(zhuǎn)換效率正在逐漸接近理論極限值。為了應(yīng)對(duì)轉(zhuǎn)換效率越來(lái)越難以提高的情況,的研發(fā)正向在維持轉(zhuǎn)換效率的情況下以單元薄型化來(lái)降低成本轉(zhuǎn)移。



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