LTE的商用能力取決于芯片環(huán)節(jié)的成熟，這已是不爭(zhēng)的事實(shí)。

　　從去年全球各地建設(shè)LTE試驗(yàn)網(wǎng)、世博會(huì)試用TD-LTE到今年多個(gè)地區(qū)開通LTE商用服務(wù)、國(guó)內(nèi)TD-LTE進(jìn)入6+1城市規(guī)模試驗(yàn)階段，LTE終端數(shù)量也隨之不斷增多，但相比先期涌現(xiàn)出的單模LTE終端，終端和芯片廠商已將多模多頻視為現(xiàn)階段的攻關(guān)重點(diǎn)。

　　多模需求增大

　　LTE在今年正式開局，也對(duì)芯片提出了兼容FDD/TDD/WCDMA/EV-DO/GSM等多制式、支持十幾個(gè)頻段的新需求。盡管參與LTE芯片研發(fā)的企業(yè)數(shù)量越來(lái)越多，但一位業(yè)界人士直言不諱稱，對(duì)目前LTE芯片領(lǐng)域熱鬧非凡的現(xiàn)象不要太過(guò)樂觀，因?yàn)槎嗄６囝l的挑戰(zhàn)會(huì)在LTE接下來(lái)發(fā)展中變得越來(lái)越現(xiàn)實(shí)，而屆時(shí)真正能支持此需求的芯片廠家并不多。“最大的挑戰(zhàn)來(lái)自于射頻收發(fā)RFIC，從目前的技術(shù)水平看，真正有能力支持多模十幾個(gè)頻段的RFIC廠商僅包括高通、ST-Ericsson等幾家。”

　　中國(guó)移動(dòng)終端部副總經(jīng)理耿學(xué)鋒不久前在某廠商的會(huì)議上表示，在今年5?9月的第一階段LTE終端測(cè)試上將進(jìn)行TD-LTE單模測(cè)試，完成單模主要技術(shù)驗(yàn)證;今年10月到明年3月的第二階段將進(jìn)行TDD/FDD多模測(cè)試，2012年7?12月實(shí)現(xiàn)小批量的驗(yàn)證，同時(shí)要求廠商具備商用供貨能力。

　　相比之下，具有豐富商用經(jīng)驗(yàn)的芯片巨頭在多模產(chǎn)品上動(dòng)作更快，例如今年2月ST-Ericsson推出的ThorM7400平臺(tái)已具備支持大多接入技術(shù)包括LTEFDD、TD-LTE、HSPA+、TD-SCDMA、EDGE等。

　　聯(lián)芯科技也于今年4月推出國(guó)內(nèi)首款TD-LTE/TD-HSPA雙模基帶處理器芯片LC1760。

　　微架構(gòu)新趨勢(shì)

　　除了多模多頻的挑戰(zhàn)，芯片的工藝與功耗也成為考驗(yàn)廠商能力的指標(biāo)。

　　此前中國(guó)移動(dòng)研究院院長(zhǎng)黃曉慶提出，針對(duì)LTE的數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)，TD-LTE數(shù)據(jù)卡至少需要65nm工藝的支持才能滿足市場(chǎng)需要，在2011年的規(guī)模試驗(yàn)中，65/45nm工藝以及GSM/LTE、GSM/TD-SCDMA/LTE多模終端已列入測(cè)試內(nèi)容中，而在2012?2013年的試商用/商用階段，28nm工藝有望得到測(cè)試和應(yīng)用，屆時(shí)將極大提高TD-LTE終端的成熟和性價(jià)比。

　　聯(lián)芯科技副總裁劉迪軍接受本刊采訪時(shí)稱，65nm/55nm工藝目前仍是芯片的主流工藝，但包括聯(lián)芯科技在內(nèi)的眾廠商正在重點(diǎn)開發(fā)40nm架構(gòu)的產(chǎn)品。“從工藝角度來(lái)看，微架構(gòu)的主要作用除了能使芯片處理速度提高、集成度提高，還能大幅降低功耗。”

　　事實(shí)上，28nm工藝已經(jīng)用于實(shí)際產(chǎn)品。今年2月，高通推出了采用28nm微架構(gòu)制造的支持LTE/雙載波HSPA+/EV-DORev.B/TD-SCDMA的芯片組，同時(shí)還推出了支持下一代平板電腦及的四核Snapdragon芯片組，其核心架構(gòu)也是28nm微架構(gòu)。高通人士稱，這一架構(gòu)的最大意義在于可支持更大的屏幕尺寸與更高的分辨率、更復(fù)雜的操作系統(tǒng)、多任務(wù)處理、多聲道音頻、高清游戲、立體3D(S3D)照片與視頻捕獲和播放，以及通過(guò)HDMI實(shí)現(xiàn)向1080P平板顯示器的高清輸出。