5) 選擇啟動(dòng)電阻及啟動(dòng)電容

　　啟動(dòng)電阻有兩種連接方式，一是連接至大電容(Cbulk)，二是連接至半波電路。啟動(dòng)電容的計(jì)算必須配合電源在VCC下降VCC(off)之前關(guān)閉環(huán)路，相應(yīng)計(jì)算出的CVcc為3.9 µF，我們實(shí)際選擇的電容是4.7 µF。需要給CVcc充電的電流IVcc為28.5 µA。

　　如果選擇的是連接大電容，則啟動(dòng)電阻Rstartup為2.76 mΩ，相應(yīng)的功率耗散為55 mW;如果選擇的是半波連接，則計(jì)算得啟動(dòng)電阻為880 kΩ，相應(yīng)的功率耗散為16 mW。由此觀之，半波連接大幅降低啟動(dòng)電阻的功率耗散。

　　6) 應(yīng)用同步整流

　　次級(jí)端的高均方根電流會(huì)導(dǎo)致輸出二極管損耗增加。我們以極低導(dǎo)通阻抗的MOSFET MBR20H150來(lái)替代二極管，從而提升能效及降低輕載和待機(jī)時(shí)的能耗。

　　相應(yīng)地，可以計(jì)算60 W準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的同步整流功率損耗為：體二極管損耗(PQdiode)為7 mW，MOSFET損耗(PON)為1 W，總同步整流總開(kāi)關(guān)損耗近似為1 W。相比較而言，使用MBR20200二極管時(shí)的總損耗為2.6 W，即采用MOSFET來(lái)替代二極管時(shí)節(jié)省損耗約1.6 W。

　　性能測(cè)試

　　基于安森美半導(dǎo)體NCP1380B構(gòu)建的19 V、60 W準(zhǔn)諧振適配器的電路圖如圖4所示。在啟動(dòng)時(shí)間方面，啟動(dòng)電阻連接至大電容時(shí)，測(cè)得啟動(dòng)時(shí)間為2.68 s;啟動(dòng)電阻連接至半波時(shí)，測(cè)得啟動(dòng)時(shí)間為2.1 s。

　　圖4：基于安森美半導(dǎo)體NCP1380準(zhǔn)諧振控制器的60 W適配器電路圖。

　　另外，我們也測(cè)試了這電路板在115 Vrms和230 Vrms條件下不同負(fù)載時(shí)的能效，參見(jiàn)表1。通過(guò)表1可以看出，115 Vrms時(shí)25%、50%、75%和100%負(fù)載條件下的平均能效高達(dá)87.9%，230 Vrms時(shí)25%、50%、75%和100%負(fù)載條件下的平均能效也達(dá)87.7%，超過(guò)“能源之星”2.0版外部電源工作能效要求。此外，輕載條件下的能耗也極低，能夠幫助節(jié)省電能。

　　表1：115 Vrms和230 Vrms條件下不同負(fù)載時(shí)的能效測(cè)試結(jié)果。