用于確保信號(hào)完整性的ESD保護(hù)器件新結(jié)構(gòu)
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從圖2對(duì)1.65Gbit/s數(shù)據(jù)率信號(hào)的眼圖測量中，比較左上角采用0.6pF電容的ESD保護(hù)器件測得的眼圖與右下角未使用ESD保護(hù)器件測得的眼圖可見，ESD保護(hù)器件的電容越低，對(duì)信號(hào)質(zhì)量退化的影響越小。圖2中左下角和右上角顯示了ESD保護(hù)器件的電容分別是2.5pF和3.5pF時(shí)眼圖質(zhì)量變差的情形。
本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/101086.htm
降低ESD保護(hù)器件電容的新結(jié)構(gòu)和材料
為了克服傳統(tǒng)ESD保護(hù)二極管的局限，多年前安森美半導(dǎo)體已經(jīng)采用突破性的工藝技術(shù)，將超低電容PIN二極管和大功率TVS二極管集成在單個(gè)裸片上，從而實(shí)現(xiàn)高性能片外ESD保護(hù)解決方案。這種集成型ESD保護(hù)技術(shù)既保留了傳統(tǒng)硅TVS二極管技術(shù)的良好鉗位和低泄漏性能，又將電容大幅降低至0.5pF。0.5pF的總電容使ESD保護(hù)器件適用于USB2.0高速(480Mbit/s)和高清多媒體接口(HDMI)(1.65Gbit/s)等高速應(yīng)用。
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