1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)檔次從計劃中的0.5微米提升到了0.35微米，主導(dǎo)產(chǎn)品64M同步動態(tài)存儲器(S-DRAM)。這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標(biāo)志著我國從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。