国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

博客專欄

EEPW首頁(yè) > 博客 > 高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn):MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時(shí)間控制方案

高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn):MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時(shí)間控制方案

發(fā)布人:MDD辰達(dá) 時(shí)間:2025-03-12 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

在高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用(如開關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng))中,MDD整流橋的選型和設(shè)計(jì)直接影響系統(tǒng)效率和電磁兼容性(EMC)。高頻下的主要挑戰(zhàn)包括EMI(電磁干擾)控制和反向恢復(fù)時(shí)間(trr)優(yōu)化,如果處理不當(dāng),會(huì)導(dǎo)致能量損耗、信號(hào)干擾、甚至器件損壞。MDD在本文探討高頻應(yīng)用下整流橋的EMI優(yōu)化策略及反向恢復(fù)時(shí)間的控制方案。

1.高頻應(yīng)用中整流橋的挑戰(zhàn)

(1)EMI問(wèn)題

在高頻環(huán)境(>20kHz)下,整流橋的二極管在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生高頻開關(guān)噪聲,主要表現(xiàn)為:

共模噪聲:二極管開關(guān)瞬間產(chǎn)生的dv/dt效應(yīng),通過(guò)寄生電容耦合到地,形成共模干擾。

差模噪聲:二極管反向恢復(fù)時(shí)的di/dt引起線路電流突變,形成差模干擾。

(2)反向恢復(fù)時(shí)間(trr)影響

在開關(guān)電源或高頻逆變器中,二極管在關(guān)斷時(shí)會(huì)有反向恢復(fù)電流,導(dǎo)致額外損耗和EMI問(wèn)題。

傳統(tǒng)硅整流橋的trr通常較長(zhǎng)(幾十到上百納秒),在高頻環(huán)境下易導(dǎo)致寄生振蕩和開關(guān)損耗增加。

trr越長(zhǎng),反向恢復(fù)損耗越大,導(dǎo)致MOSFET或IGBT的開關(guān)損耗上升,降低系統(tǒng)效率。

2.EMI優(yōu)化方案

(1)選用超快恢復(fù)或肖特基整流橋

?超快恢復(fù)整流橋(trr≤50ns)

適用于中等電壓(<600V)的高頻應(yīng)用,如PFC整流、開關(guān)電源輸出整流。

trr較短,減少反向恢復(fù)引起的EMI問(wèn)題。

?肖特基整流橋(trr≈0ns)

適用于低壓高頻應(yīng)用(<200V),如DC-DC變換器。

由于無(wú)反向恢復(fù)過(guò)程,EMI影響極小,但耐壓較低。

(2)RC緩沖電路

?在整流橋兩端并聯(lián)RC吸收電路(如100Ω+1nF),用于抑制高頻噪聲。

?RC緩沖網(wǎng)絡(luò)可有效吸收dv/dt引起的瞬態(tài)電壓尖峰,減少EMI。

(3)優(yōu)化PCB布局

縮短整流橋至負(fù)載的走線,降低寄生電感。

增加地平面,減少共模噪聲的回流路徑。

使用低ESL(等效串聯(lián)電感)的陶瓷電容做旁路,降低高頻噪聲。

(4)屏蔽與濾波

**共模濾波器(如共模扼流圈)**降低高頻干擾。

屏蔽銅箔或金屬罩減少電磁輻射。

3.反向恢復(fù)時(shí)間(trr)控制方案

(1)選擇合適的二極管

?低trr超快恢復(fù)整流橋(UF系列)

適用于高頻AC-DC轉(zhuǎn)換,減少反向恢復(fù)損耗。

例如UF4007(trr≈75ns)適用于高壓整流,MB6S(trr≈50ns)適用于高頻橋式整流。

?SiC(碳化硅)二極管

trr接近0,適用于高壓高頻應(yīng)用(>600V),如光伏逆變器、PFC電路。

SiC二極管幾乎無(wú)反向恢復(fù)電流,可極大減少EMI和開關(guān)損耗。

(2)降低開關(guān)頻率

適當(dāng)降低開關(guān)頻率(如從100kHz降至50kHz),可減少di/dt變化速率,降低EMI影響。

但需要在EMI與效率之間權(quán)衡,避免影響功率密度。

(3)增加串聯(lián)電阻

在二極管陽(yáng)極串聯(lián)小電阻(如10Ω),可減緩di/dt變化,降低反向恢復(fù)峰值電流,減少EMI。

但需注意功率損耗,適用于小電流應(yīng)用。

(4)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路

采用軟開關(guān)技術(shù)(如ZVS、ZCS),可降低di/dt,減少反向恢復(fù)損耗。

在PWM驅(qū)動(dòng)MOSFET時(shí),適當(dāng)調(diào)整死區(qū)時(shí)間,避免二極管反向恢復(fù)電流過(guò)大。

4.高頻整流橋的選型建議

企業(yè)微信截圖_17417445152492.png

5.結(jié)論

高頻應(yīng)用下,整流橋的EMI優(yōu)化和反向恢復(fù)控制是關(guān)鍵設(shè)計(jì)點(diǎn)。通過(guò)選擇低trr的二極管(如超快恢復(fù)、肖特基或SiC)、優(yōu)化PCB布局、增加緩沖電路,可以有效減少EMI和功率損耗,提升系統(tǒng)效率。工程師在選型時(shí)應(yīng)結(jié)合開關(guān)頻率、輸入電壓、功率等級(jí),選擇最適合的整流橋方案,以保證系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性。


*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。



關(guān)鍵詞: 整流橋

相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉