近期，北京和廣東紛紛發(fā)布重點工程計劃，加速推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。北京的“3個100”重點工程計劃和廣東的現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)行動計劃，均將半導(dǎo)體項目列為重點，旨在通過技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級，推動區(qū)域經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。

近日，北京市2025年“3個100”重點工程計劃經(jīng)市委常委會審議通過并正式發(fā)布。該計劃涵蓋100個重大科技創(chuàng)新及現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)項目、100個重大基礎(chǔ)設(shè)施項目和100個重大民生改善項目，總投資約1.4萬億元。

其中，科技創(chuàng)新及現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)項目包括重大科研基礎(chǔ)設(shè)施項目22項、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)項目23項、未來產(chǎn)業(yè)項目15項、現(xiàn)代服務(wù)業(yè)項目34項、文旅融合發(fā)展項目6項。

據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，上榜的集成電路類項目包括DRAM存儲器技術(shù)示范線項目、北電集成12英寸集成電路生產(chǎn)線項目、光電子芯片及器件制造基地項目、盛吉盛高端裝備研發(fā)制造基地、第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)(二期) 項目等。

其中，北電集成12英寸集成電路生產(chǎn)線項目總投資330億元，規(guī)劃總產(chǎn)能5萬片/月，產(chǎn)品主要面向顯示驅(qū)動、數(shù)?；旌?、嵌入式MCU等領(lǐng)域。該項目于2024年啟動，計劃2025年四季度啟動設(shè)備搬入，2026年底實現(xiàn)量產(chǎn)。

DRAM存儲器技術(shù)示范線項目由長鑫集電（北京）存儲技術(shù)有限公司負(fù)責(zé)實施，旨在建設(shè)12英寸DRAM存儲器生產(chǎn)線，目前該項目已進入試運行階段。

光電子芯片及器件制造基地項目總投資約4000萬元人民幣，旨在填補我國在高速VCSEL和DFB光電子芯片的供應(yīng)短板，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。目前尚未明確具體投產(chǎn)時間，但項目已進入施工階段，預(yù)計2025年12月底前竣工投產(chǎn)。據(jù)悉，光電子芯片及器件制造基地項目項目占地面積約25335平方米，主要建設(shè)內(nèi)容包括新建廠房、研發(fā)中心等設(shè)施，用于光電子芯片及器件的制造。項目將建設(shè)多條生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)調(diào)制器（含強度調(diào)制器）、薄膜調(diào)制器、調(diào)制器芯片、SLD產(chǎn)線、探測器組件等產(chǎn)品。

第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)（二期）項目總投資約19.92億元，預(yù)計于2025年12月建成投產(chǎn)。該項目由北京天科合達(dá)負(fù)責(zé)實施，將新建6-8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線及研發(fā)中心，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。2024年11月12日，該項目正式開工。

盛吉盛高端裝備研發(fā)制造基地總投資約21億元人民幣，由盛吉盛半導(dǎo)體科技（北京）有限公司負(fù)責(zé)實施。該項目前期投資5億元，圍繞其核心設(shè)備建設(shè)國際領(lǐng)先的半導(dǎo)體裝備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售中心，力爭3年內(nèi)實現(xiàn)銷售訂單100臺以上產(chǎn)能。截至2024年8月2日，項目主體已封頂，預(yù)計2025年3月完工。

與此同時，廣東也在加速推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2月5日，廣東省重磅發(fā)布《廣東省建設(shè)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系 2025 年行動計劃》。該計劃明確了到 2025 年初步構(gòu)建現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系的總體目標(biāo)。屆時，廣東省產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將得到優(yōu)化升級，創(chuàng)新能力顯著提升，產(chǎn)業(yè)集群競爭力大幅增強，在全球產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈中占據(jù)更重要地位。

在重點任務(wù)方面，首先是全力推動集成電路產(chǎn)業(yè)突破，通過加大研發(fā)投入，攻克芯片設(shè)計、制造工藝等關(guān)鍵核心技術(shù)，提升集成電路自主可控水平，為電子信息產(chǎn)業(yè)筑牢根基。同時，大力壯大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群，將新一代電子信息、新能源、新材料、生物醫(yī)藥等作為重點發(fā)展方向，打造具有全球影響力的產(chǎn)業(yè)集群，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展潮流。

該計劃還特別提到，在集成電路產(chǎn)業(yè)方面，加快華潤微、方正微、粵芯、增芯等重大項目建設(shè)和產(chǎn)能“爬坡”，補齊集成電路制造、先進封測等短板，大力發(fā)展材料及裝備產(chǎn)業(yè)，謀劃建設(shè)光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺，打造全國集成電路“第三極”。深入實施“廣東強芯”重大科技工程，在關(guān)鍵材料、器件、軟件、裝備等方面取得突破性成果。公開資料顯示，上述四大項目近期均有最新進展。

公開資料顯示，華潤微電子深圳12英寸集成電路生產(chǎn)線項目位于深圳市寶安區(qū)灣區(qū)芯城。該項目自2022年10月開工，歷經(jīng)兩年多的建設(shè)，于2024年12月31日順利實現(xiàn)通線投產(chǎn)。項目將主要生產(chǎn)40-90nm工藝的功率IC和MCU等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、射頻通信等多個領(lǐng)域。

粵芯半導(dǎo)體三期項目也已于今年的1月2日正式通線，標(biāo)志著在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能建設(shè)等多方面取得堅實進展。據(jù)悉該項目總投資162.5億元，占地28萬平方米，建筑面積45萬平方米。采用180-90nm制程技術(shù)，新增月產(chǎn)能4萬片晶圓，達(dá)產(chǎn)產(chǎn)值約40億元。

廣州增芯科技12英寸晶圓制造產(chǎn)線從動工到通線僅用時18個月，創(chuàng)下了廣東大體量項目建設(shè)的“芯”速度。該項目一期投資70億元，未來五年內(nèi)計劃總投資370億元，建設(shè)兩座智能化晶圓廠，總產(chǎn)能將達(dá)到12萬片/月。2024年12月31日，增芯科技12英寸晶圓制造產(chǎn)線投產(chǎn)，首批產(chǎn)品良率達(dá)99.7%。

公開資料顯示方正微電子8英寸碳化硅產(chǎn)線Fab2此前預(yù)計于2024年底通線，規(guī)劃產(chǎn)能每月6萬片；其Fab1產(chǎn)能6英寸碳化硅晶圓9000片每月，此前2024年底目標(biāo)：產(chǎn)能提升至1.4萬片每月，2025年目標(biāo)是具備年產(chǎn)16.8萬片車規(guī)級碳化硅MOS的生產(chǎn)能力。