來(lái)源：瀚天天成

瀚天天成再次取得重大技術(shù)突破

近期，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司在第五屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)（2023年5月16日-18日）上宣布，研發(fā)團(tuán)隊(duì)完成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的8英寸碳化硅外延工藝的技術(shù)開(kāi)發(fā)，瀚天天成正式具備了國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅外延晶片量產(chǎn)能力。

據(jù)悉，瀚天天成上周完成了多項(xiàng)長(zhǎng)期合約（LTA）的簽訂，包括價(jià)值超過(guò)1.92億美元的8英寸長(zhǎng)約。公司所生產(chǎn)的 8 英寸碳化硅外延晶片的質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，即厚度不均勻性小于3%，濃度不均勻性小于6%，2mm*2mm管芯良率達(dá)到98%以上。該技術(shù)突破標(biāo)志著我國(guó)已經(jīng)掌握商業(yè)化的8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)技術(shù)，進(jìn)一步推進(jìn)了碳化硅外延材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，極大地提升了我國(guó)在碳化硅外延領(lǐng)域的國(guó)際地位。

據(jù)瀚天天成公司董事長(zhǎng)趙建輝博士介紹，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的最佳途徑。以2mm*2mm尺寸的管芯為例，通過(guò)完全同樣的工序，一片8英寸碳化硅外延晶片的芯片（器件）產(chǎn)出量是6英寸晶片產(chǎn)出量的1.8倍，是4英寸晶片產(chǎn)出量的4.3倍。由此可見(jiàn)，8英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)品的推出將能夠有效降低器件生產(chǎn)的成本，對(duì)推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有深遠(yuǎn)的意義。

瀚天天成目前是全球第一大碳化硅半導(dǎo)體純外延晶片生產(chǎn)商，為國(guó)家級(jí)專精特新重點(diǎn)“小巨人”企業(yè)（第一年第一批）。公司于2011年3月在廈門火炬高新區(qū)成立。

2012年3月，瀚天天成成為中國(guó)第一家提供商業(yè)化3英寸和4英寸碳化硅半導(dǎo)體外延晶片的企業(yè)，產(chǎn)品達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，并填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

2014年4月，瀚天天成完成第一筆商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片訂單，成為國(guó)內(nèi)首家、全球第4家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。

目前瀚天天成已經(jīng)在全部產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)上達(dá)到世界領(lǐng)先水平。基于最新開(kāi)發(fā)的技術(shù)，瀚天天成的高均勻性產(chǎn)品指標(biāo)對(duì)于生產(chǎn)車規(guī)級(jí)主驅(qū)MOSFET的企業(yè)能夠提供絕對(duì)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。該競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)使得瀚天天成所簽訂的2023 年度訂單超過(guò)了原全球龍頭企業(yè)年產(chǎn)能的 3 倍多。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查公司YOLE 及TECHCET發(fā)布的碳化硅晶圓材料報(bào)告顯示，2023年全球等效6英寸碳化硅外延晶片市場(chǎng)（captive and open market）規(guī)?？偭款A(yù)計(jì)將達(dá)到約80萬(wàn)片（YOLE）及107.2萬(wàn)片（TECHCET）。基于該預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，瀚天天成2023年在手訂單（35萬(wàn)片）全球占比高達(dá)43.7% 及32.7%。據(jù)了解，瀚天天成2024年Diamond Class 外延產(chǎn)能已大部分被LTA長(zhǎng)約鎖定。

瀚天天成服務(wù)著大中華區(qū)絕大部分的碳化硅半導(dǎo)體器件企業(yè)，是大中華區(qū)唯一大批量進(jìn)入國(guó)際巨頭供應(yīng)鏈的外延晶片生產(chǎn)企業(yè)，同時(shí)服務(wù)著英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美及Wolfspeed這四家全球碳化硅Top 4之中的三家國(guó)際巨頭。瀚天天成高速發(fā)展的同時(shí)也大幅度帶動(dòng)、提高了國(guó)產(chǎn)碳化硅半導(dǎo)體襯底在國(guó)際市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

以綠色科技推動(dòng)“雙碳”進(jìn)程

碳化硅（SiC）是繼硅、砷化鎵等第一、二代半導(dǎo)體之后的第三代新型半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件（電力芯片）的理想半導(dǎo)體材料。

以制作最常見(jiàn)的電力電子器件（肖特基功率二極管）為例，采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料，可將其正向比導(dǎo)通電阻降為千分之一。與傳統(tǒng)技術(shù)相比，碳化硅電力芯片能減少高達(dá)75%的能耗，降低高達(dá)75%的電力系統(tǒng)的體積和重量，使電力系統(tǒng)的造價(jià)降到傳統(tǒng)系統(tǒng)的75%，同時(shí)能大幅度提高電力系統(tǒng)的性能，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中有著廣泛的應(yīng)用，如變頻電機(jī)、家用電器、太陽(yáng)能及風(fēng)力發(fā)電、儲(chǔ)能、混合及純電動(dòng)汽車、高鐵、智能電網(wǎng)、航天航空等行業(yè)。碳化硅半導(dǎo)體在新能源車上的應(yīng)用已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了充電5分鐘續(xù)航200公里的良好成績(jī)。

由于碳化硅半導(dǎo)體的應(yīng)用無(wú)處不在，碳化硅半導(dǎo)體支撐的高科技產(chǎn)業(yè)鏈將高達(dá)上千億元美元。碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)的日益普及和應(yīng)用將為電子相關(guān)行業(yè)的升級(jí)換代和建設(shè)低碳社會(huì)、實(shí)現(xiàn)雙碳目標(biāo)提供強(qiáng)有力的技術(shù)保障。