為應(yīng)對低迷的市場形勢，與2022財年第四季度相比，美光宣布將DRAM和NAND晶圓的開工量減少約20%。這些削減將在Micron擁有可觀產(chǎn)量的所有技術(shù)節(jié)點上進(jìn)行。美光也將努力削減額外的資本支出。2023日歷年，美光預(yù)計DRAM的bit供應(yīng)量同比增長為負(fù)，NAND的bit供應(yīng)增長率為個位數(shù)。

最近，2023日歷年的市場前景有所減弱。為了顯著改善供應(yīng)鏈中的總庫存，美光認(rèn)為，在2023年日歷中，DRAM bit同比供應(yīng)將需要減少，NAND bit供應(yīng)增長將需要顯著低于之前的估計。

美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“美光正在采取大膽而積極的措施，減少bit供應(yīng)增長，以限制庫存規(guī)模。美光將繼續(xù)監(jiān)測行業(yè)狀況，并根據(jù)需要進(jìn)行進(jìn)一步調(diào)整。盡管近期面臨周期性挑戰(zhàn)，但我們?nèi)詫κ袌龅拈L期需求驅(qū)動因素充滿信心，從長期來看，我們預(yù)計存儲器和存儲收入的增長將超過半導(dǎo)體行業(yè)的其他行業(yè)。”

作為全球首家官宣232層NAND Flash的存儲原廠，美光的研發(fā)進(jìn)展及供應(yīng)策略對存儲市場具有舉足輕重的影響。那么，美光對于明年存儲市場的展望有何變化？如何通過先進(jìn)制程激發(fā)市場的應(yīng)用需求？12月8日，美光集團(tuán)副總裁Dinesh Bahal先生將在中國閃存市場峰會CFMS2022上發(fā)表重要演講，敬請期待！