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日本強(qiáng)調(diào),打造本土半導(dǎo)體

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2022-06-19 來源:工程師 發(fā)布文章

源:世界半導(dǎo)體技術(shù)論壇


據(jù)報道,日本政府基本決定與民間企業(yè)合作,在國內(nèi)完善新一代半導(dǎo)體制造基地。還將與美國政府?dāng)y手,力爭在2025至2029年度的較早階段實(shí)現(xiàn)。新一代半導(dǎo)體用于量子計算機(jī)等領(lǐng)域,在經(jīng)濟(jì)安保上也不可或缺,因此政府為確保穩(wěn)定供應(yīng)將加緊構(gòu)筑量產(chǎn)體制。
日美政府在5月的首腦會談中一致同意在新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域合作。近期將設(shè)置聯(lián)合工作組,具體制定建造地點(diǎn)等建設(shè)計劃。7月舉行的“日美經(jīng)濟(jì)政策磋商委員會”(經(jīng)濟(jì)版2+2)上將磋商合作內(nèi)容。日本政府在研究利用補(bǔ)貼等方式。
新一代半導(dǎo)體比以往的半導(dǎo)體在性能上大幅提升,人工智能(AI)等用途廣泛,還可以轉(zhuǎn)用于軍事。國際半導(dǎo)體巨頭臺灣積體電路制造公司(TSMC)透露,將在2025年啟動制程為2納米(1納米為10億分之1米)的新一代半導(dǎo)體生產(chǎn)。
中國政府也對本國的半導(dǎo)體開發(fā)進(jìn)行大規(guī)模投資等,各國競爭激化,日美近年來在新一代半導(dǎo)體等研發(fā)領(lǐng)域相互靠攏。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)相萩生田光一5月訪美,與美國政府制定了以加強(qiáng)研發(fā)和供應(yīng)鏈的合作為核心的基本原則。
關(guān)于美國主導(dǎo)、5月成立的新經(jīng)濟(jì)圈構(gòu)想“印太經(jīng)濟(jì)框架”(IPEF),日本等參加國也將合作力爭確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定。
臺積電的子公司將在熊本縣建造新工廠,力爭2024年開始出貨。該工廠計劃生產(chǎn)制程10至20納米級的半導(dǎo)體產(chǎn)品。


日本批準(zhǔn)臺積電建廠計劃 最高補(bǔ)貼4760億日元


日本政府17日宣布,基于扶持在國內(nèi)建造半導(dǎo)體工廠的相關(guān)法律,批準(zhǔn)全球半導(dǎo)體巨頭臺灣積體電路制造公司(TSMC)等在熊本縣建廠計劃。政府最高將補(bǔ)貼4760億日元(約合人民幣238億元)。臺積電將攜手索尼集團(tuán)與電裝,主要面向日本客戶進(jìn)行生產(chǎn)。


各國就用于各類電子產(chǎn)品的半導(dǎo)體采購展開競爭,確保穩(wěn)定供應(yīng)已成為政府的重要課題。日本在半導(dǎo)體生產(chǎn)方面落后,因此政府希望通過提供補(bǔ)貼等夯實(shí)生產(chǎn)基礎(chǔ)。對臺積電等的補(bǔ)貼是基于相關(guān)法律的首個項(xiàng)目,到2024年底前陸續(xù)發(fā)放。


預(yù)計工廠將在2024年12月首次出貨。用于演算的10至20納米級(1納米為10億分之1米)制程半導(dǎo)體的月生產(chǎn)能力將達(dá)到約5.5萬枚(按12英寸換算)。根據(jù)計劃,工廠占地面積約21.3萬平米,員工數(shù)約1700人。


政府認(rèn)為臺積電方面滿足了持續(xù)生產(chǎn)至少10年、半數(shù)以上材料在日本國內(nèi)采購等條件。


經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)相萩生田光一17日在內(nèi)閣會議后的記者會上表示,“期待增強(qiáng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈韌性,以及為今后半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展持續(xù)做貢獻(xiàn)?!?/span>



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