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Vishay推出新型超高精度、高分辯率Z箔音頻電阻

  • 　　Vishay于5月5日宣布推出新型超高精度Z箔。該電阻采取特殊設(shè)計，可增加信號清晰度；當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C （參考溫度為+25°C）時，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。 　　Vishay 的此款新型音頻電阻 (VAR)采用 Vishay 的 Bulk Metal Z 箔技術(shù)制成，具有低噪聲及低阻抗/
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新型高功率高速870nm紅外發(fā)射器（Vishay）

  • 　　Vishay Intertechnology, Inc.推出具有38o 寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器，從而擴大了其光電子產(chǎn)品組合。通過其獨特設(shè)計的鏡頭，使TSFF5510 具有38o 的視角范圍，與標準的 5 mm 發(fā)射器相比，可提供更優(yōu)異的性能。 ???? 　　寬視角、高達 1 A 的功率輸出及高速等特點使 TSFF5510 紅外發(fā)射器非常適合如紅外線收費及無線音頻傳輸系統(tǒng)等室外數(shù)據(jù)傳輸應用中的紅外線音、視頻數(shù)據(jù)傳輸，這些應用通
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Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件

  • 　　Vishay推出新型第三代 TrenchFET? 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導通電阻性能和導通電阻與柵極電荷乘積指標。 　　新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK? SO-8 封裝的 N 溝道器件，在 4.5V 柵極驅(qū)動電壓下具有 2.25 毫歐的最大導通電阻。導通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用中 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)(FOM)，Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98
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Vishay推出采用Int-A-Pak封裝具有75A-200A高額定電流的新系列半橋IGBT模塊

  • 　　Vishay Intertechnology宣布推出采用業(yè)界標準 Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標準及超快速度下實現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。 　　日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應用需求的三種不同 IGBT 技術(shù)。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用標準穿通 (PT) IGBT 技術(shù)，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS1
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Vishay推出采用三種標準芯片尺寸的新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器

  • 　　日前，Vishay推出具有三種標準芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 采用先進薄膜技術(shù)的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應時間以及 -55°C～+155oC 的溫度范圍。 　　由于采用高度受控的鉑金屬薄膜制造工藝，這些新型 Vishay Beyschlag 倒裝片傳感器具有 <±0.04% 的出色溫度特性穩(wěn)定性，甚至在長期及寬泛的溫度范圍內(nèi)也是如此，這可在汽車電子設(shè)備、工業(yè)電子設(shè)
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Vishay 推出新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器

  • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用超緊湊型 LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。 憑借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業(yè)及醫(yī)療應用的便攜式電子設(shè)備中節(jié)省板面空間，以及提供 ESD 保護。 新型濾波器包括四通道 VEMI45AB-HNH 和VE
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Vishay發(fā)布小型超高精度 Z 箔電阻

  • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻，當溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時，該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）（額定功率下）、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
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Vishay 推出首款 Power Metal Strip 電阻

  • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip? 電阻，這兩款電阻是業(yè)界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C～+275°C 的此類器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的專有結(jié)構(gòu)將固體金屬鐵鉻合金電阻元件與低 TC
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Vishay最新3V紅外接收器系列具更高靈敏度

  • 　　日前，Vishay宣布利用可在光線較低的情況下將器件靈敏度提高一倍的新一代IC升級其3V紅外接收器的性能。該IC是IR接收器性能的主要決定因素之一，此外還有光電二極管及光封裝本身。靈敏度會直接影響接收器的接受范圍，并且在大多數(shù)紅外接收器應用中極為重要。 　　憑借新器件實現(xiàn)的進一步改進包括器件工作電流降低了70%，為0.35mA;2.5V～5.5V的更廣泛電壓范圍;更出色的EMI及ESD抗擾性。從本月開始，該新型IC將成為所有采用通孔封裝的Vishay3V及5V紅外接收器的標準功能。這些更新的器件可在
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Vishay推出長壽命CLCC-6陶瓷封裝SMD LED

  • 　　Vishay推出采用CLCC-6扁平陶瓷封裝的第一個高強度黃色、淡黃色及白色功率SMDLED系列，該系列LED具有40K/W或60K/W的低熱阻以及2800mcd～9000mcd的高光功率，主要面向?qū)崦舾械膽谩? 　　憑借僅0.9mm的超薄厚度，VLMK62,VLMY62,及VLMW62器件的CLCC-6扁平陶瓷封裝允許使用額外電流驅(qū)動，以實現(xiàn)最大光輸出，同時可保持最長50,000小時的較長使用壽命，從而使它們在熱管理為關(guān)鍵考慮因素的應用中成為理想光源。 　　這些新型LED專門針對汽車與運輸、消
  • 關(guān)鍵字： Vishay  CLCC-6  LED  封裝  

Vishay推出黃色、淡黃色、暖白色及白色1W功率SMD LED

  • 　　Vishay宣布推出新系列黃色、淡黃色、暖白色及白色1W功率SMD LED。 Little Star VLMK71..、VLMY71..、VLMW71..及VLMW711..系列為眾多應用提供了低熱阻及高光強度。新型Little Star LED采用具有6.0mm
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Vishay推SMD紅外接收器模塊TSOP85..系列

  • 　　VishayIntertechnology,Inc.宣布推出具有Vishay最高敏感度/尺寸比的新系列表面貼裝(SMD)紅外接收器模塊。新型TSOP85..系列器件可在紅外遙控、數(shù)據(jù)傳輸及光障應用中實現(xiàn)遠距離操作，主要用于需要超薄、超小型元件的便攜式系統(tǒng)。典型的終端產(chǎn)品包括小型手持式設(shè)備，例如筆記本電腦、數(shù)碼相機與視頻設(shè)備、音樂與視頻播放器及導航設(shè)備。 　　在光模塊中，縮小封裝尺寸將減小透鏡大小，從而可降低敏感度以及縮短作用距離。但TSOP85..系列器件通過添加另一個透鏡及光敏二極管抵消了這種影響
  • 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  Vishay  SMD  紅外接收器模塊  遙控技術(shù)  

Vishay推SMR1DZ/SMR3DZ Z箔表面貼裝電阻

Vishay推新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網(wǎng)絡(luò)

  • 日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網(wǎng)絡(luò)，該器件在0℃～+60℃時具有
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Vishay推MAP封裝298D系列固體鉭芯片電容

  •     日前，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布，公司已擴展了其298D系列MicroTan固體鉭芯片電容器，新器件在兩個小型模塑封裝尺寸中具有業(yè)界最佳的電容電壓額定值。      通過充分利用已獲專利的MAP(多陣列封裝)裝配技術(shù)，Vishay的298DMicroTan電容器已得到擴展，可在面積為1.60mm
  • 關(guān)鍵字： 消費電子  Vishay  MAP  298D  模擬IC  電源  
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