uv led 文章進(jìn)入uv led技術(shù)社區(qū)

納米尺度芯片Art DFM仿真平臺

基于65/45/40/28納米銅互連和28納米高k金屬柵CMP工藝及DFM設(shè)計規(guī)則，課題組開發(fā)了一套兼顧平坦化和寄生效應(yīng)、完整兼容業(yè)界主流EDA工具的DFM仿真平臺，該平臺具有超大規(guī)模版圖快速處理，ECP/CVD/PVD/CMP工藝模擬、熱點(diǎn)輸出與反標(biāo)等功能。通過對版圖進(jìn)行CMP分析和檢查，找出存在熱點(diǎn)的區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充，并根據(jù)設(shè)計需求進(jìn)行修正，形成CMP模擬與參數(shù)提取相結(jié)合的DFM優(yōu)化流程。DFM平臺解決了復(fù)雜超大版圖快速并行處理的技術(shù)難題，可以滿足65/45/40/28納米全芯片規(guī)模版圖處理的要求
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納米尺度芯片平坦性工藝仿真工具

研究65/45/40/28納米銅互連ECP/CMP及32/28納米HKMG CMP工藝，提出了耦合設(shè)計版圖與CMP機(jī)理的新型高效CMP建模技術(shù)，開發(fā)了多節(jié)點(diǎn)銅互連平坦性疊層仿真工具和28納米高k金屬柵DFM解決方案，可動態(tài)模擬ECP/CMP、ILD0 CVD/CMP和Al PVD/CMP工藝演進(jìn)過程，快速實(shí)現(xiàn)平坦性工藝偏差的提取和校正。該仿真工具通過了CMOS實(shí)測硅片數(shù)據(jù)驗(yàn)證，仿真精度和速度達(dá)到國際同類工具先進(jìn)水平，可應(yīng)用于全芯片平坦性工藝的檢測分析和設(shè)計優(yōu)化。CMP工藝仿真
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中科院：EDA驗(yàn)證評測技術(shù)

針對國產(chǎn)EDA工具應(yīng)用推廣的平臺化共性技術(shù)問題，研究基于國產(chǎn)EDA工具先進(jìn)工藝設(shè)計參考流程，以及關(guān)鍵EDA工具的評測技術(shù)，包括EDA工具的功能對比、性能測試、可兼容性、穩(wěn)定性、易用性等的測試驗(yàn)證，形成規(guī)范的EDA工具評測報告，以此促進(jìn)國產(chǎn)EDA 工具的改進(jìn)、更新和完善，并指導(dǎo)設(shè)計企業(yè)選用合適的EDA工具完成芯片設(shè)計。該研究內(nèi)容獲得北京市科技計劃項(xiàng)目“國產(chǎn)EDA工具產(chǎn)業(yè)鏈應(yīng)用推廣示范平臺”項(xiàng)目的支持?；谌ㄖ圃O(shè)計流程的EDA評測技術(shù)：針對納米工藝全定制設(shè)計流程的系列EDA工具開展EDA評測技術(shù)研
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中科院：物聯(lián)網(wǎng)新型體系結(jié)構(gòu)

基于新型非易失存儲的高能效終端架構(gòu)技術(shù)：為解決資源受限物聯(lián)網(wǎng)終端的“存儲墻”問題，利用MRAM、PCM等新型存儲器，構(gòu)建異構(gòu)非揮發(fā)存儲架構(gòu)。通過研究軟、硬件協(xié)同的異構(gòu)存儲架構(gòu)管理技術(shù)，達(dá)到降低內(nèi)存功耗、減小I/O延時的目的。此項(xiàng)工作得到國家重點(diǎn)研發(fā)計劃、北京市科技計劃、中科院先導(dǎo)專項(xiàng)的支持。AI計算加速技術(shù)：GPU、ASIC、FPGA等AI加速器是實(shí)現(xiàn)高能效AI計算的重要手段，然而受限于移動計算環(huán)境對芯片面積、功耗等的要求，AI加速芯片片上緩存容量有限，當(dāng)計算深度模型時需要頻繁訪問片外存儲，因此“內(nèi)存墻”
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中科院：硅集成驗(yàn)證技術(shù)

EDA中心硅集成驗(yàn)證技術(shù)，聚焦于利用EDA技術(shù)及設(shè)計、工藝、封測技術(shù)，實(shí)現(xiàn)多環(huán)節(jié)集成、交叉技術(shù)集成，解決高品質(zhì)、高精度、新工程技術(shù)的難題。尤其在硅基芯片+光、+生物、+MEMS等跨學(xué)科創(chuàng)新領(lǐng)域，形成了獨(dú)特的解決方案，并成功實(shí)現(xiàn)芯片功能驗(yàn)證。★ 設(shè)計與工藝集成 ★&nb
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中科院：EDA軟件與先進(jìn)算力平臺服務(wù)技術(shù)

研發(fā)基于Web的EDA工具授權(quán)管理技術(shù)、安全可靠的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)及VPN解決方案，構(gòu)建EDA軟件管理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)license的分時復(fù)用策略，解決昂貴EDA工具靈活授權(quán)問題。該系統(tǒng)支持EDA工具授權(quán)的全信息化管理模式，可實(shí)現(xiàn)License授權(quán)管理及分析服務(wù)，幫助用戶優(yōu)化EDA軟件采購方案，降低用戶軟件成本。研究EDA資源的平臺化技術(shù)與智能EDA計算技術(shù)，構(gòu)建集成電路高性能EDA平臺，實(shí)現(xiàn)SaaS化的EDA應(yīng)用創(chuàng)新服務(wù)模式，平臺提供從EDA工具授權(quán)、IP庫選擇、項(xiàng)目管理到高性能計算支撐等完整的云端芯片設(shè)計解決方案，
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中科院微電子研究所EDA中心研究方向匯總

納米芯片可制造性設(shè)計(DFM)技術(shù)：已形成Art-DFMx工具套件，支持65nm-28nm-14nm-7nm的版圖可制造性設(shè)計分析，用于面向良率提升和性能提升的版圖優(yōu)化，先進(jìn)工藝CMP工藝后芯片形貌預(yù)測；提出了多物理機(jī)理耦合建模、基于LDE的有效平坦化長度特征提取、多粒度算法并行技術(shù)。部分成果被行業(yè)龍頭企業(yè)應(yīng)用。獲國家科技重大專項(xiàng)支持。極低功耗設(shè)計：研發(fā)了多款性能指標(biāo)優(yōu)于公開文獻(xiàn)報道的亞閾值極低功耗IP以及用于底層低功耗電路優(yōu)化的電路結(jié)構(gòu)-器件尺寸-版圖優(yōu)化工具；研發(fā)亞閾值電路特征化、統(tǒng)計延時建模、統(tǒng)計時
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中科院微電子所EDA中心參加國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“高性能計算”重點(diǎn)專項(xiàng)2020年度匯報評估交流會

　2020年12月15日至16日，國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“高性能計算”重點(diǎn)專項(xiàng)2018年度匯報評估交流會在北京召開，本次交流會由科技部高技術(shù)中心發(fā)起，2017年立項(xiàng)項(xiàng)目“面向高性能計算環(huán)境的集成電路設(shè)計自動化業(yè)務(wù)平臺”的6名項(xiàng)目成員參加了會議?！　?，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人陳嵐研究員重點(diǎn)匯報了項(xiàng)目的考核指標(biāo)完成情況、關(guān)鍵技術(shù)和創(chuàng)新點(diǎn)、組織宣傳成果以及后續(xù)的工作計劃。項(xiàng)目立項(xiàng)至今，構(gòu)建了面向EDA行業(yè)的高性能計算平臺，能夠提供從EDA工具授權(quán)、IP庫選擇、項(xiàng)目管理到計算資源智能調(diào)度等完整的云端芯片設(shè)計解決方案，全方位助力設(shè)
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2021集成電路設(shè)計自動化前沿技術(shù)研討會圓滿召開

2021年6月1日，2021集成電路設(shè)計自動化前沿技術(shù)研討會在北京國際會議中心成功舉辦，會議由中國科學(xué)院微電子研究所主辦，中國科學(xué)院微電子研究所EDA中心（三維及納米集成電路設(shè)計自動化技術(shù)北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室）承辦。國家02專項(xiàng)專家組總體組組長葉甜春、中科院微電子研究所黨委書記戴博偉、華大九天董事長劉偉平、概倫電子董事長劉志宏、以及來自清華大學(xué)、北京大學(xué)、中科院計算所、中科院上海微系統(tǒng)所、鴻芯微納、芯華章、新思科技、全芯智造等50余家單位的150余名專家學(xué)者出席了會議，會議由中國科學(xué)院微電子研究所EDA中心主
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國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“基于高性能計算的集成電路電子設(shè)計自動化（EDA）平臺”項(xiàng)目順利通過綜合績效評價

2022年3月10日，由中科院微電子所EDA中心陳嵐研究員牽頭承擔(dān)的國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“高性能計算”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于高性能計算的集成電路電子設(shè)計自動化（EDA）平臺”項(xiàng)目在北京順利通過項(xiàng)目綜合績效評價。本次會議由科技部高技術(shù)中心“高性能計算”重點(diǎn)專項(xiàng)組織，以“線上+線下”的形式召開，科技部高技術(shù)中心領(lǐng)導(dǎo)、項(xiàng)目綜合績效評價技術(shù)和財務(wù)專家組、項(xiàng)目承擔(dān)單位代表及科研骨干共37人參加了會議。由錢德沛院士組成的綜合績效評價專家組聽取了項(xiàng)目負(fù)責(zé)
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中國 EDA 產(chǎn)業(yè)回顧：自研“熊貓系統(tǒng)”曇花一現(xiàn)，后錯失 15 年，最終走上崛起之路

EDA 工具素有“芯片之母”的美譽(yù)，是芯片制造最上游的產(chǎn)業(yè)，是銜接集成電路設(shè)計、制造和封測的關(guān)鍵紐帶，對行業(yè)生產(chǎn)效率、產(chǎn)品技術(shù)水平都有重要影響。近年來，國產(chǎn) EDA 產(chǎn)業(yè)受到國家高度重視，且涌現(xiàn)出了大量的 EDA 公司。而事實(shí)上，早在上世紀(jì) 80 年代，中國 EDA 產(chǎn)業(yè)也曾有過短暫的輝煌，但可惜，有如曇花一現(xiàn)，輝煌很快就沉寂下去，并長達(dá) 15 年之久，這段歷史有著怎樣的“隱情”？國產(chǎn) EDA 產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)又是從何時到來？本期我們讓我們一起走進(jìn) EDA 的發(fā)展史。中國 EDA 產(chǎn)業(yè)失去的 15 年（199
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Mini LED正逢其時：它有何過人之處

2021年4月21日凌晨，蘋果春季新品發(fā)布會上Mini LED成為最大亮點(diǎn)，推出的新款12.9英寸iPad Pro搭載了Mini LED背光顯示技術(shù)。對于蘋果而言，Mini LED背光技術(shù)的導(dǎo)入補(bǔ)齊了全平臺HDR的最后一塊拼圖。對于LED行業(yè)而言，意義更為重大。這塊Liquid Retina XDR顯示屏采用了超1萬顆Mini LED，共有2596個局域調(diào)光分區(qū)，可實(shí)現(xiàn)100萬：1的超高對比度，峰值亮度達(dá)1600nits，比舊款高出了1000nits，同時支持P3廣色域、原彩顯示和ProMotion自適應(yīng)
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說出來你可能不信 MiniLed可能撐不起液晶未來

在電視的發(fā)展歷程中，液晶顯示產(chǎn)品在當(dāng)年憑借畫質(zhì)、超薄等技術(shù)優(yōu)勢擊敗CRT、等離子等顯示技術(shù)，持續(xù)霸占電視市場近數(shù)十年之久。不過，其實(shí)自打液晶問世至現(xiàn)在，在畫質(zhì)領(lǐng)域一直飽受詬病。究其原因，簡單說就是液晶顯示技術(shù)的小毛病太多，顯示效果從一開始就不如等離子，甚至連CRT都比它強(qiáng)。從2015年開始，OLED與量子點(diǎn)等顯示技術(shù)強(qiáng)勢進(jìn)場，憑借畫質(zhì)上對液晶技術(shù)的碾壓。不少人認(rèn)為，LCD發(fā)展數(shù)十年后的今天，已經(jīng)不能滿足人眼對于極致畫質(zhì)的需求，技術(shù)變革勢在必行。所以，大廠們都在尋求能夠替代LCD液晶的完美顯示技術(shù)。最近兩年
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京東方首款34英寸玻璃基Mini LED電競顯示器重磅來襲!

3月31日消息京東方首款34英寸玻璃基Mini LED電競顯示器橫空出世！此款顯示器運(yùn)用新一代玻璃基Mini LED背光技術(shù)，由BOE MLED和AOC聯(lián)合打造，震撼來襲！本款顯示器采用全球首創(chuàng)AM玻璃基技術(shù)，是游戲娛樂必備利器。AM主動驅(qū)動, 消除畫面撕裂，真正實(shí)現(xiàn)健康護(hù)眼無屏閃；玻璃基化繁為簡，整板設(shè)計，拒絕拼縫和拼板色差，其熱膨脹系數(shù)低，耐熱沖擊力強(qiáng)，高溫?zé)o翹曲，壽命長；另外，玻璃基平整度高，易于固晶，芯片脫落風(fēng)險小，品質(zhì)過硬。臻享畫質(zhì) 完美體驗(yàn)玻璃基背光具備平整度高，光學(xué)均一性強(qiáng)等天然
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聞泰科技：已開發(fā)出 Mini / Micro LED 直顯和背光產(chǎn)品，并提供給多個車企測試

3 月 16 日消息，據(jù)中國證券報報道，聞泰科技已成立新型顯示技術(shù)事業(yè)部，成功開發(fā)出 Mini / Micro LED 直顯和背光產(chǎn)品。目前首批樣品已提供給多個汽車客戶測試，反饋情況好。IT之家了解到，聞泰科技上月在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示，公司業(yè)務(wù)主要分為三大板塊，包括半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)和光學(xué)業(yè)務(wù)。聞泰科技表示，2022 年，產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)中不僅是手機(jī)業(yè)務(wù)改善，筆電、服務(wù)器、IoT（如 TWS 耳機(jī)、智能手表）、汽車電子業(yè)務(wù)都將有明顯貢獻(xiàn)。此外，3 月 15 日，珠海得爾塔光電智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目（一期）主
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