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未來的Flash記憶體
- Flash記憶體加工尺寸正越來越小,容量越來越高,耗電量越來越低,但與CPU類似,到達某個尺寸后它也會迎來瓶頸,優(yōu)勢將變成劣勢?,F(xiàn)在市場上已有基于25nm或20nm制造工藝的SSD,東芝在上個月宣布了基于19nm制造工藝的SSD生產(chǎn)線。目前估計Flash記憶體制造尺寸最小為8nm,可能要到20年代后期才可能出現(xiàn)。 加州圣迭戈和微軟研究人員的一篇論文假 設(shè)NAND浮置柵極晶體管可用6.5nm制造工藝生產(chǎn),那么一塊SLC(單層存儲單元)Flash芯片容量能超過500 GB,而TCL(三層存儲單元)F
- 關(guān)鍵字: Flash SSD
基于TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口系統(tǒng)設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: TMS320C6201 DSP Flash 存儲器接口
基于FPGA和FLASH ROM的圖像信號發(fā)生器設(shè)計
- 摘要:以XC2V1500-FPGA為硬件架構(gòu),設(shè)計了一種圖像信號發(fā)生器,作為自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)波前處理機的信號源,為波前處理機的調(diào)試和算法驗證提供支持。系統(tǒng)采用大容量的NAND型FLASH存儲數(shù)據(jù),存儲容量為1 GB。圖像數(shù)據(jù)通過
- 關(guān)鍵字: FLASH FPGA ROM 圖像信號發(fā)生器
一種矢量信號發(fā)生器設(shè)計與實現(xiàn)

- 摘要:充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點,以FPGA為邏輯時序控制器,設(shè)計并實現(xiàn)了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例,詳細介紹了矢量信號發(fā)生器的設(shè)計方案與實現(xiàn)過程,使用Verilog HDL描述并實現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時序控制和FPGA的邏輯控制。
- 關(guān)鍵字: DDR2 SDRAM FLASH 201205
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