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ST推出50萬(wàn)像素ToF傳感器強(qiáng)化智能型手機(jī)3D深度成像

意法半導(dǎo)體（ST）推出新系列高分辨率飛行時(shí)間測(cè)距（ToF）傳感器，為智能型手機(jī)等裝置帶來(lái)先進(jìn)的3D深度成像功能。意法半導(dǎo)體推出新系列高分辨率ToF傳感器新3D系列的首款產(chǎn)品是VD55H1，能感測(cè)超過(guò)50萬(wàn)個(gè)點(diǎn)的距離信息進(jìn)行3D成像?？蓚蓽y(cè)距離傳感器5公尺范圍內(nèi)的物體，透過(guò)圖案結(jié)構(gòu)照明系統(tǒng)甚至可以偵測(cè)到更遠(yuǎn)的物體。VD55H1可解決AR／VR新興市場(chǎng)的使用情境問(wèn)題，包括房間影像、游戲和3D具體化身。在智能型手機(jī)中，新傳感器可以加強(qiáng)相機(jī)系統(tǒng)的功能，包括景深散景效果、多相機(jī)選擇和影像分割。更高分辨
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意大利和法國(guó):歐洲投資銀行向意法半導(dǎo)體提供6億歐元貸款,加強(qiáng)歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)力

●? ?這筆貸款旨在為全球排名前列的半導(dǎo)體企業(yè)研發(fā)(R&D)活動(dòng)和創(chuàng)新生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)提供資金●? ?這筆資金符合歐盟及成員國(guó)加強(qiáng)歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)力的發(fā)展政策●? ?這筆資金還有助于歐洲半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主的戰(zhàn)略目標(biāo)歐洲投資銀行 (EIB)為意法半導(dǎo)體提供巨資支持：為該半導(dǎo)體集團(tuán)在歐洲的研發(fā) (R&D) 和產(chǎn)前活動(dòng)提供 6 億歐元貸款。這筆融資業(yè)務(wù)涉及對(duì)創(chuàng)新技術(shù)產(chǎn)品研發(fā)活動(dòng)以及先進(jìn)半導(dǎo)體試制生產(chǎn)線的投資。這筆投資將投放到意法半導(dǎo)體在意
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的MEMS傳感器助您開啟Onlife時(shí)代

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)近日推出其第三代MEMS傳感器。新一代傳感器助力消費(fèi)類移動(dòng)產(chǎn)品、智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能零售產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)性能和功能新飛躍。MEMS 技術(shù)實(shí)現(xiàn)是穩(wěn)健可靠的芯片級(jí)運(yùn)動(dòng)和環(huán)境傳感器的基礎(chǔ)技術(shù)，今天的智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備依靠MEMS傳感器實(shí)現(xiàn)直觀的環(huán)境感知功能?，F(xiàn)在，意法半導(dǎo)體新一代 MEMS 傳感器將性能提升到了一個(gè)新的水平，輸出數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度和功耗都突破了現(xiàn)有技術(shù)限制。新傳感器可讓活動(dòng)檢測(cè)、室內(nèi)導(dǎo)航、精密工業(yè)感測(cè)
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躋身第三代半導(dǎo)體市場(chǎng) ST助力全球碳中和

　　隨著第三代半導(dǎo)體的工藝越來(lái)越成熟和穩(wěn)定，應(yīng)用在工業(yè)和電動(dòng)汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導(dǎo)體行業(yè)中的佼佼者，意法半導(dǎo)體同樣重視第三代半導(dǎo)體帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動(dòng)了第三代半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域上的應(yīng)用發(fā)展。2022年2月意法半導(dǎo)體召開媒體交流會(huì)，介紹了意法半導(dǎo)體在全球碳中和理念的背景下，如何通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻(xiàn)?！　?jù)調(diào)查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時(shí)的能源。這意味著節(jié)約了
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用于檢測(cè)裸硅圓芯片上少量金屬污染物的互補(bǔ)性測(cè)量技術(shù)

就產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)環(huán)境的清潔度而言，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)要求很高的產(chǎn)業(yè)。金屬污染對(duì)芯片有害，所以應(yīng)避免裸晶圓芯片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓芯片上金屬污染問(wèn)題的經(jīng)驗(yàn)，介紹如何使用互補(bǔ)性測(cè)量方法檢測(cè)裸硅圓芯片上的少量金屬污染物并找出問(wèn)題根源，解釋從多個(gè)不同的檢測(cè)方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測(cè)量技術(shù)檢測(cè)污染物對(duì)熱處理的依賴性。前言本文旨在解決硅襯底上的污染問(wèn)題，將討論三種不同的金屬污染。第一個(gè)是鎳擴(kuò)散，又稱為快速擴(kuò)散物質(zhì)[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個(gè)污點(diǎn)開始擴(kuò)散的金屬污染。第二個(gè)是鉻污染，
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導(dǎo)入NFC卷標(biāo)功能實(shí)作全球連網(wǎng)香水首見現(xiàn)身

Phantom是全球第一款連網(wǎng)香水，噴頭內(nèi)裝有ST25TV02K近場(chǎng)通信（NFC）標(biāo)簽，讓Paco Rabanne可為顧客提供獨(dú)特功能。運(yùn)作機(jī)制其實(shí)很簡(jiǎn)單：使用者將手機(jī)靠近瓶身，就會(huì)跳出通知并傳送一個(gè)連結(jié)網(wǎng)址。瓶身做成機(jī)器人形狀，有如顧客進(jìn)入香水世界及相關(guān)服務(wù)的門戶。目前Paco Rabanne提供顧客一份播放列表，里面有特定日期或月份的排行榜暢銷歌曲。舉例來(lái)說(shuō)，顧客可以找出歷年來(lái)自己生日時(shí)所有流行曲目。該公司還提供一款機(jī)器人形狀的IG貼紙，為自拍增添天馬行空的創(chuàng)意。Paco Rabanne已在8月時(shí)全球
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適用于電池供電設(shè)備的熱感知高功率高壓板

電池供電馬達(dá)控制方案為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)多項(xiàng)挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱效能至今仍十分棘手且耗時(shí)；但現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計(jì)人員可利用現(xiàn)代化電熱仿真器輕松縮短上市時(shí)間。如今，電池供電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)解決方案通?？捎脴O低的工作電壓提供數(shù)百瓦的功率。在此類應(yīng)用中，為確保整個(gè)系統(tǒng)的效能和可靠性，必須正確管理馬達(dá)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電流。事實(shí)上，馬達(dá)電流可能會(huì)超過(guò)數(shù)十安培，導(dǎo)致變流器內(nèi)部耗散功率提升。為變流器組件施加較高的功率將會(huì)導(dǎo)致運(yùn)作溫度升高，效能下降，如果超過(guò)最額定功率，甚至?xí)蝗煌Ｖ惯\(yùn)作。優(yōu)化熱效能同時(shí)縮小大小，是變流器設(shè)計(jì)過(guò)程中的重要一
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ST與Sierra Wireless合作簡(jiǎn)化加速物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)方案部署

意法半導(dǎo)體（ST）與全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)供貨商Sierra Wireless宣布合作協(xié)議，讓STM32微控制器（MCU）開發(fā)社群能夠使用Sierra Wireless彈性的蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)和邊緣至云端解決方案。 STM32 MCU與Sierra Wireless彈性的全球蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)和邊緣至云端解決方案，簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備部署。該協(xié)議可協(xié)助開發(fā)者解決建立和部署物聯(lián)網(wǎng)解決方案所涉及的各種挑戰(zhàn)，包含裝置設(shè)計(jì)研發(fā)、蜂巢式網(wǎng)絡(luò)安裝和與云端服務(wù)聯(lián)機(jī)，以加速產(chǎn)品上市。意法半導(dǎo)體部門副總裁暨微控制器事業(yè)部總經(jīng)
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ST：以可持續(xù)方式為世界創(chuàng)新技術(shù)

ST以可持續(xù)方式為可持續(xù)世界創(chuàng)造技術(shù)，實(shí)際上，這并不是新鮮事，ST自1987 年成立時(shí)就開始這樣做了。這個(gè)理念已深入我們的商業(yè)模式和企業(yè)文化 30余年，ST的創(chuàng)新技術(shù)讓客戶能夠因應(yīng)各種環(huán)境和社會(huì)挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體集團(tuán)副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負(fù)責(zé)人Jean-Louis CHAMPSEIX現(xiàn)今，新冠疫情還在世界各處肆虐，為加速推動(dòng)各種可持續(xù)發(fā)展行動(dòng)創(chuàng)造了條件，CTIMES特別訪問(wèn)了意法半導(dǎo)體集團(tuán)副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負(fù)責(zé)人Jean-Louis CHAMPSEIX，了解該公司可持續(xù)發(fā)展的策略。Jean-Louis指出，對(duì)
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Rosenberger與ST合作開發(fā)獨(dú)特60GHz高速非接觸式連接器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和Rosenberger合作，開發(fā)非接觸式連接器，用于工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備的超可靠近距離點(diǎn)對(duì)點(diǎn)全雙工數(shù)據(jù)交換。 Rosenberger創(chuàng)新的非接觸式連接器 RoProxCon利用意法半導(dǎo)體的60GHz射頻收發(fā)器ST60A2高速傳輸數(shù)據(jù)，不受連接器的移動(dòng)、震動(dòng)、旋轉(zhuǎn)和污物（濕氣和灰塵）之影響，若為傳統(tǒng)的插銷與插座則可能導(dǎo)致聯(lián)機(jī)故障。ST60A2兼具Bluetooth?藍(lán)牙低功耗和高數(shù)據(jù)傳輸速率，打造出不再受線纜羈絆的新型醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用。Rosenberg
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，GaN功率開關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
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為技術(shù)找到核心多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新

觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢(shì)，可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)著眼?；旧习雽?dǎo)體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨(dú)立電子、計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺(tái)積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會(huì)看到一種新的突破，因?yàn)樗麄冏钣锌赡苻D(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來(lái)，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)／
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意法半導(dǎo)體發(fā)布面向高性能汽車應(yīng)用的下一代MEMS加速度計(jì)

意法半導(dǎo)體 AIS2IH三軸線性加速度計(jì)為汽車防盜、遠(yuǎn)程信息處理、信息娛樂(lè)、傾斜/側(cè)傾測(cè)量、車輛導(dǎo)航等非安全性汽車應(yīng)用帶來(lái)更高的測(cè)量分辨率、溫度穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度，還為性能要求很高的新興汽車、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用鋪平了道路。借助意法半導(dǎo)體在MEMS技術(shù)和汽車技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，AIS2IH具有市場(chǎng)領(lǐng)先的可靠性，在-40oC至+115oC的寬工作溫度范圍內(nèi)提供高性能的運(yùn)動(dòng)測(cè)量功能。此外，新加速度計(jì)采用超低功耗技術(shù)和緊湊的LGA-12柵格陣列封裝，售價(jià)具有極高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。新產(chǎn)品有五個(gè)不同的工作模式：一個(gè)高性能模式(
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DC充電站：ST在功率與控制層面所遇到之挑戰(zhàn)

預(yù)計(jì)到2027年，全球電動(dòng)汽車充電站市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)展，而亞太地區(qū)電動(dòng)汽車銷量的迅速成長(zhǎng)推動(dòng)了全球電動(dòng)汽車充電站市場(chǎng)的成長(zhǎng)。意法半導(dǎo)體（ST）產(chǎn)品可支持此一市場(chǎng)／應(yīng)用。本文介紹主要系統(tǒng)架構(gòu)以及主要適用的ST產(chǎn)品。預(yù)計(jì)到2027年，全球電動(dòng)汽車充電站市場(chǎng)規(guī)模將從2020年估計(jì)的2,115,000個(gè)成長(zhǎng)至30,758,000個(gè)，復(fù)合年均成長(zhǎng)率高達(dá)46.6%。該報(bào)告的基準(zhǔn)年為2019年，預(yù)測(cè)期為2020年至2027年。[1] 從地理位置來(lái)看，亞太地區(qū)（尤其是中國(guó)）電動(dòng)汽車銷量的迅速成長(zhǎng)推動(dòng)了全球電動(dòng)汽車充電站市場(chǎng)
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