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AM-OLED顯示驅(qū)動芯片中內(nèi)置SRAM的設(shè)計

  • 摘要：詳細(xì)描述了一種內(nèi)置于AM-OLED顯示驅(qū)動芯片中的單端口SRAM電路的設(shè)計方法，提出了一種解決SRAM訪問時序沖突問題的仲裁算法。同時給出了基于0．18mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計的一款大小為320x240x18位的SRAM電路。通過
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Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

  • 　　據(jù)消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來源還稱Intel“很快就會”對外公開展示一款基于這種22nm制程的處理器實(shí) 物。不過記者詢問Intel發(fā)言人后得到的答復(fù)則是:"我們不會對流言或猜測進(jìn)行評論。" 　　盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開過其22nm制程SRA
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一種基于FPGA 的嵌入式塊SRAM 的設(shè)計

  • 摘　要：文章中提出了一種應(yīng)用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對所有存儲單元進(jìn)行清零，且編程后為兩端口獨(dú)
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基于FPGA 的嵌入式塊SRAM 的設(shè)計

  • 摘　要：文章中提出了一種應(yīng)用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對所有存儲單元進(jìn)行清零，且編程后為兩端口獨(dú)立
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起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并模擬的方法

  • 瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機(jī)電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在ldquo
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賽普拉斯最新推出65-nm 36-Mbit 和18-Mbit器件

  • 　　RAM業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速? (QDR?) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM 系列產(chǎn)品中的最新成員。這些新的存儲器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步SRAM產(chǎn)品線，最高容量可達(dá)144Mbit，速度最快可達(dá)550MHz。賽普拉斯擁有專利的工藝技術(shù)最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領(lǐng)了“綠色”網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)應(yīng)用的新潮流。 　　
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基于位線循環(huán)充電SRAM模式的自定時電路設(shè)計

  • 隨著集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續(xù)增長，使得高性能和低功耗設(shè)計已成為芯片設(shè)計的主流。在微處理器和SoC中，存儲器占據(jù)了大部分的芯片面積，而且還有持續(xù)增加的趨勢。這使存儲器中的字線長度和位線長度不斷增加，增加了延時和功耗。因此，研究高速低功耗存儲器的設(shè)計技術(shù)對集成電路的發(fā)展具有重要意義。對SRAM存儲器的低功耗設(shè)計技術(shù)進(jìn)行研究，在多級位線位SRAM結(jié)構(gòu)及工作原理基礎(chǔ)上，以改善SRAM速度和功耗特性為目的，設(shè)計了基于位線循環(huán)充電結(jié)構(gòu)的雙模式自定時SRAM，其容量為8K×32 b。
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賽普拉斯72-Mbit SRAM受業(yè)界重視

  • 　　SRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，全球領(lǐng)先的通訊設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)解決方案供應(yīng)商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機(jī)中選用了賽普拉斯的QDR?II+ (四倍速?) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上最快的550MHz的時鐘頻率下工作，且擁有市場上最寬泛的產(chǎn)品選擇范圍，并能提供業(yè)界最多的參考設(shè)計。 　　
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中興新型以太網(wǎng)交換機(jī)選用賽普拉斯的72-Mbit SRAM

  • 普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布通訊設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)解決方案供應(yīng)商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機(jī)中選用了賽普拉斯的QDRtrade;II+ (四倍速trade;) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上
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基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計

  • 基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計,　1 前言　針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計的方法，并給出了部分VHDL程序。　　2 硬件設(shè)計　　這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61
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SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用

  • 　　同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)
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SRAM特點(diǎn)及工作原理

  • SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù).　　基本簡介　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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基于SRAM工藝FPGA的保密性問題

  • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置
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賽普拉斯推出全球首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM

  • 　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫?yīng)時間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲服務(wù)器、交換機(jī)和路由器、測試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。 　　CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達(dá)12ns。器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的48-B
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分析美光沖得那么快能堅持多久？

  • 　　編者點(diǎn)評：存儲器是半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。它的特點(diǎn)起伏大，幾乎每十年有一次大的變動及盈利一年要虧損2-3年。另一個是反映半導(dǎo)體制造工藝能力水平，通常新建生產(chǎn)線會采用SRAM工藝來通線及會盡可能的采用最先進(jìn)工藝技術(shù)。另外存儲器的產(chǎn)值約占半導(dǎo)體的23%，但其投資會占到半導(dǎo)體的40-60%。盡管看似供求市場決定它的周期變化, 非常簡單,然而實(shí)際上操作很難。所以韓，美包括臺灣地區(qū)都不會輕易退出此領(lǐng)域。中國是全球最大的半導(dǎo)體市場, 從長遠(yuǎn)戰(zhàn)略看不該缺席存儲器。 　　美光公司報道它的季度業(yè)績由虧損3億美元轉(zhuǎn)變到盈利9
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