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使用光學(xué)鼠標(biāo)傳感器實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)測量

  • 使用光學(xué)鼠標(biāo)傳感器實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)測量- 本設(shè)計(jì)實(shí)例使用光學(xué)電腦鼠標(biāo)中的傳感器測量圓盤的旋轉(zhuǎn),其中的圓盤可以通過機(jī)械方式連接到任何一種旋轉(zhuǎn)裝置。通過沿著圓盤半徑改變傳感器位置,該方案可以調(diào)整每次旋轉(zhuǎn)的脈沖。
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帶你詳細(xì)解析串行外設(shè)接口(SPI)總線時(shí)序

  • 帶你詳細(xì)解析串行外設(shè)接口(SPI)總線時(shí)序-SPI是一個(gè)環(huán)形總線結(jié)構(gòu),由ss(cs)、sck、sdi、sdo構(gòu)成,其時(shí)序其實(shí)很簡單,主要是在sck的控制下,兩個(gè)雙向移位寄存器進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。
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單片機(jī)SPI通信接口

  • 單片機(jī)SPI通信接口-SPI 是一種高速的、全雙工、同步通信總線,標(biāo)準(zhǔn)的 SPI 也僅僅使用 4 個(gè)引腳,常用于單片機(jī)和 EEPROM、FLASH、實(shí)時(shí)時(shí)鐘、數(shù)字信號處理器等器件的通信。
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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析

  •   Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等。  1989年,東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展,NAND應(yīng)用越來越廣泛,但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn):分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
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SPI、I2C、UART三種串行總線協(xié)議的區(qū)別和SPI接口介紹,以及SPI接口詳解

  • SPI、I2C、UART三種串行總線協(xié)議的區(qū)別和SPI接口介紹,以及SPI接口詳解-SPI接口在Master控制下產(chǎn)生的從器件使能信號和時(shí)鐘信號,兩個(gè)雙向移位寄存器按位傳輸進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,傳輸數(shù)據(jù)高位在前,低位在后(MSB)。在SCK的下降沿上數(shù)據(jù)改變,上升沿一位數(shù)據(jù)被存入移位寄存器。
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼,入門必懂知識

  • 一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼,入門必懂知識-如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中,我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁中,還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時(shí)寫入一次呢?將參數(shù)存儲(chǔ)到固定的地址,則每個(gè)參數(shù)都將占用Flash的一個(gè)塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中,那么只有一個(gè)參數(shù)修改時(shí),也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎?
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帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生,它到底有多小?

  • 帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生,它到底有多???-富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝(WL-CSP),使得其體積僅為3.09× 2.28 × 0.33 mm,一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
  • 關(guān)鍵字: 富士通  fram  spi  

時(shí)序一致性測試解決方案

  •   在某產(chǎn)品測試過程中,工程師反饋偶爾會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)異常,經(jīng)過系統(tǒng)性的分析,致遠(yuǎn)電子測試團(tuán)隊(duì)推測可能是ADC芯片的SPI通信總線的時(shí)序存在偶發(fā)異常,但由于異常出現(xiàn)概率很低,該如何對SPI通信總線偶發(fā)的時(shí)序問題進(jìn)行定位呢?  一、搭建測試環(huán)境  SPI總線測試點(diǎn)位于主機(jī)的主板底部,時(shí)鐘頻率大約為33MHz,屬高頻信號,所以對探頭的端接方式比較講究;為了方便測試,如圖1所示,用短線將測試點(diǎn)引出,探頭的地線也從前端自繞線引出,這樣可以提高信號完整性,減少示波器采樣對時(shí)序分析過程的影響。    
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stm8s開發(fā)(七) SPI的使用:SPI主機(jī)通信!

  •   科普SPI:是一種高速的,全雙工,同步的通信總線,并且在芯片的管腳上只占用四根線,分別是:SCK(時(shí)鐘)、MOSI(主機(jī)發(fā)送數(shù)據(jù))、MISO(主機(jī)接收數(shù)據(jù))、NSS(片選),其中NSS的片選信號,大部分情況下我們使用的是軟件NSS,即為使用一個(gè)GPIO進(jìn)行軟件控制片選。值得注意的是,其中SPI有4中模式:分別是空閑時(shí)SCLK的電平高\(yùn)低、MISO采樣時(shí)第1\2個(gè)變化沿?! tm8s的SPI結(jié)構(gòu)如下圖,        如果用形象的比喻的話:SCK像一個(gè)發(fā)條齒輪,只有當(dāng)發(fā)
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單線SPI的在線編程方案

  •   “串口下載”是大多數(shù)工程師最早接觸的程序下載方式,尤其是一開始使用51單片機(jī)的工程師們。隨著硬件集成度越來越高,芯片資源不斷被壓縮,工程師也想到了另一種“串口下載”方式,只需一根數(shù)據(jù)線即可?! ‰S著半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展,芯片集成度越來越高,隨之研發(fā)設(shè)計(jì)出來的PCBA大小已經(jīng)能和硬幣比肩,功能卻一點(diǎn)都沒有受到影響,是如何做到的呢?在不影響功能的情況下盡量裁剪硬件資源,這是每個(gè)工程師都頭疼的問題,關(guān)鍵在于裁剪后如何保證編程能夠正常進(jìn)行?! 【幊探涌诙喾N多樣,包括工程師們熟悉的UART、I2C、SPI、SW
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全球NOR Flash市場供不應(yīng)求 兆易創(chuàng)新/華邦電動(dòng)作不斷

  • 隨著各大供應(yīng)商對NOR Flash的不斷加大投入,未來其市場將會(huì)逐漸趨于飽和,利潤也會(huì)越來越小,至于整體趨勢還有待觀察。
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第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成,全球DRAM營收季增16.9%

  •   集邦咨詢內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來看,由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升,第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重,但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價(jià)格上漲逾一成,行動(dòng)式內(nèi)存則因中國品牌手機(jī)廠下修出貨數(shù)量,價(jià)格僅小幅上漲5%內(nèi)。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,觀察市場面,受惠于平均銷售單價(jià)的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn),大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見,全球DRAM市場第二
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硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

  • 曾經(jīng)飛索的破產(chǎn)和三星的退出使NOR FLASH行業(yè)重新洗牌,同年美光稱霸,臺灣廠商崛起,NOR FLASH漲價(jià),行業(yè)迎來一波反彈。
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硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

  •   供給端:原材料價(jià)格調(diào)漲,大廠退出   原材料漲價(jià)   今年以來半導(dǎo)體硅晶圓市場出現(xiàn)八年以來首度漲價(jià)情況,其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺積電、三星電子、英特爾等提高制程,20nm以下先進(jìn)工藝占比不斷提高,加大對高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND,投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時(shí)工業(yè)與汽車半導(dǎo)體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開始快速增長,大陸半導(dǎo)體廠商大舉建廠擴(kuò)產(chǎn),帶來新的硅片需求增量。供給方面,硅片廠集中在日韓臺,前六大廠商市占98%,在硅片
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1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

  • 自1970年,美國英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來,已經(jīng)過去47年,美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手,懷揣巨額籌碼,高高興興地走進(jìn)來,卻在輸光光之后黯然離場。目前,只有韓國三星和海力士,占據(jù)絕對壟斷地位,在DRAM市場呼風(fēng)喚雨,賺得盆滿缽滿。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  Flash  
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spi nor flash介紹

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