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0.65V 3mW CMOS低噪聲放大器設計
- 1 引 言 低噪聲放大器(Low Noise Amplifier,LNA)在微波∕射頻接收系統(tǒng)中處于前端位置,其性能指針的好壞對接收機整體性能有很大的影響。例如根據(jù)文獻[1],對于由多級放大器組成的接收系統(tǒng),其整機噪聲系數(shù)基本上取決于前級放大器的噪聲系數(shù)。典型地,接收機接收的信號強度在-120~-20 dBm之間,因而為了滿足系統(tǒng)要求,對LNA主要有以下要求: (1) 提供合適的增益放大信號,以減小后續(xù)電路對系統(tǒng)的噪聲影響。 (2) 在放大過程中自身引入盡可能小的噪聲和信號失真。
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 CMOS 低噪聲放大器 放大器
嵌入式系統(tǒng)中CMOS圖像傳感器接口技術
- 提出了CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器在嵌入式系統(tǒng)中的接口技術,通過設計軟件驅動使嵌入式處理器能夠控制CMOS圖像傳感器圖像數(shù)據(jù)自動采集。
- 關鍵字: CMOS 嵌入式系統(tǒng) 接口技術 圖像傳感器
射頻芯片:工藝成本功耗是永恒熱點
- 支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認為是中國無線通信和3G產業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年,國內兩家領先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片,一舉彌補了中國TD-SCDMA產業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后,銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM雙模射頻芯片”。CMOS工藝正逐漸取代硅鍺BiCMOS工藝和硅BiCMOS工藝成為射頻芯片的主流工藝,與此
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 射頻 芯片 CMOS RF RF IF
安森美推出便攜設備電源穩(wěn)壓應用的低壓降穩(wěn)壓器
- 安森美半導體推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝,非常適合電池供電的消費類產品和微處理器控制的便攜應用,如手機、個人數(shù)字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達300毫安(mA)的電流,特別結合了工藝與架構,能夠提供快速的客戶反應和極高的靈活性。0.8伏(V)到5 V的電壓范圍能夠配合客戶的不同需求。無論使用哪種類型的電容,或在空載條件下,NCP590都能穩(wěn)定工作。
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 安森美 CMOS LDO 穩(wěn)壓器 元件 制造
高速單片機硬件關鍵參數(shù)設計概述
- 摘要:隨著目前新技術、新工藝的不斷出現(xiàn),高速單片機的應用越來越廣,對硬件的可靠性問題便提出更高的要求。本文將從硬件的可靠性角度描述高速單片機設計的關鍵點。 關鍵詞:高速單片機 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設計 引 言 隨著單片機的頻率和集成度、單位面積的功率及數(shù)字信號速度的不斷提高,而信號的幅度卻不斷降低,原先設計好的、使用很穩(wěn)定的單片機系統(tǒng),現(xiàn)在可能出現(xiàn)莫名其妙的錯誤,分析原因,又找不出問題所在。另外,由于市場的需求,產品需要采用高速單片
- 關鍵字: 高速單片機 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設計 MCU和嵌入式微處理器
富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案
- 富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通株式會社、富士通微電子美國公司(FMA)以及捷智技術公司的全資子公司捷智半導體公司(Jazz)將合作生產用于RF CMOS設備的片上系統(tǒng)(SoC)產品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄,此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業(yè)技術與富士通處于領先地位的90nm 及65nm生產技術相結合,使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具(COT)代工服務。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進的90nm 及65nm低漏電LSI生產工藝,提供給捷智高精度的RF模型
- 關鍵字: 65nm 90nm CMOS RF 代工 富士通 捷智
低電壓CMOS運算放大器輸入級的研究
- 近年來,電子產品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展,需要低電壓、低功耗的集成電路,以延長電池的使用壽命。CMOS技術可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個系統(tǒng)同時封裝和制造在一個芯片上。因此,低電壓、低功耗的要求,不僅是對數(shù)字集成電路,也同樣針對于模擬集成電路。由于數(shù)字集成電路工作在開關狀態(tài),通過合理減小電路尺寸,不難滿足其要求。但是,對于模擬集成電路,由于場效應管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降,如果采用低電壓供電,將使輸出范圍大大減小,輸出電流的信噪比(S/N)減小,共模抑制比(CMRR)降
- 關鍵字: CMOS 低電壓 電源技術 模擬技術 運算放大器 模擬IC 電源
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中,電壓的穩(wěn)定尤為重要,因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路,為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實用,但忽略了欠壓鎖定電路的功耗,使系統(tǒng)在正常工作時,仍然有較大的靜態(tài)功耗,這樣就降低了電源的效率,并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負擔,影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路,本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路,并通過HSPICE仿真。此電
- 關鍵字: CMOS 電源技術 模擬技術 鎖定電路
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