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新型有源箝位軟開關(guān)PWM控制器UCC289X的原理及應(yīng)用

  • 介紹了電流控制型芯片UCC289X的基本原理，設(shè)計(jì)出了基于該芯片的同步整流有源箝位正激變換器的實(shí)用電路。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明，該芯片具有較好的控制特性和穩(wěn)定性。
  • 關(guān)鍵字： UCC289X  原理  應(yīng)用  控制器  PWM  有源  開關(guān)  新型  

PWM 應(yīng)用中的低電壓反饋

  • PWM 應(yīng)用中的低電壓反饋 作者：德州儀器 (TI) 電源控制產(chǎn)品部 Steve Mappus 　　就低電壓高電流電源應(yīng)用而言，開關(guān)式電源門極驅(qū)動(dòng)要求特別重要。由于幾個(gè) MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設(shè)計(jì)的高電流規(guī)范要求，因此單一集成電路控制器與驅(qū)動(dòng)器解決方案的方便性就不再是可行的選擇。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻，并減少傳導(dǎo)損耗。但是，隨著并聯(lián)器件的增多，門極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動(dòng)級(jí)，因此與驅(qū)動(dòng)并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗其形式都表現(xiàn)為
  • 關(guān)鍵字： PWM  其他IC  制程  

PWM 應(yīng)用中的低電壓反饋

  • 就低電壓高電流電源應(yīng)用而言，開關(guān)式電源門極驅(qū)動(dòng)要求特別重要。由于幾個(gè) MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設(shè)計(jì)的高電流規(guī)范要求，因此單一集成電路控制器與驅(qū)動(dòng)器解決方案的方便性就不再是可行的選擇。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻，并減少傳導(dǎo)損耗。但是，隨著并聯(lián)器件的增多，門極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動(dòng)級(jí)，因此與驅(qū)動(dòng)并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗其形式都表現(xiàn)為控制器集成電路的散熱。因此，許多單片解決方案的驅(qū)動(dòng)級(jí)由于并聯(lián)組合的關(guān)系都無(wú)法有效地驅(qū)動(dòng)更高的門極充電。
  • 關(guān)鍵字： PWM  

三相高頻PWM整流器的預(yù)測(cè)電流控制

  • 研究了三相高頻PWM整流器的數(shù)學(xué)模型，分析了預(yù)測(cè)電流控制方法的基本原理，給出了電壓控制環(huán)路計(jì)算的方法。最后給出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
  • 關(guān)鍵字： 電流  控制  預(yù)測(cè)  整流器  高頻  PWM  三相  

一種新穎的ZVZCS PWM全橋變換器

  • 提出了一種新穎的零電流零電壓開關(guān)（ZCZVS）PWM全橋變換器，通過增加一個(gè)輔助電路的方法實(shí)現(xiàn)了變換器的軟開關(guān)。
  • 關(guān)鍵字： 變換器  全橋  PWM  ZVZCS  新穎  

用PWM放大器實(shí)現(xiàn)400Hz電源

  • 介紹了美國(guó)Apex Microtechnolgy公司生產(chǎn)的大功率PWM脈寬調(diào)制型放大器的基本工作原理及如何用它來(lái)設(shè)計(jì)400Hz/115V電源的具體方法。
  • 關(guān)鍵字： 電源  400Hz  實(shí)現(xiàn)  放大器  PWM  

新一代單片PFC+PWM控制器

  • CM6800是美國(guó)CMC半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的新一代單片PFC+PWM控制器。
  • 關(guān)鍵字： 控制器  PWM  PFC  單片  新一代  

SA8282三相PWM發(fā)生器的原理與應(yīng)用

集成PWM控制器在不間斷電源系統(tǒng)中的應(yīng)用

一種基于CPLD的PWM控制電路設(shè)計(jì)

多模高頻PWM控制器UCC39421/2及其應(yīng)用

TMS320F240片內(nèi)PWM實(shí)現(xiàn)D/A擴(kuò)展功能

PWM應(yīng)用中的低電壓反饋

  • 2004年6月A版 　　就低電壓高電流電源應(yīng)用而言，開關(guān)式電源柵極驅(qū)動(dòng)要求特別重要。由于幾個(gè) MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設(shè)計(jì)的高電流規(guī)范要求，因此單一集成電路控制器與驅(qū)動(dòng)器解決方案就變的不再可行。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻，并減少傳導(dǎo)損耗。但是，隨著并聯(lián)器件的增多，柵極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動(dòng)級(jí)，因此與驅(qū)動(dòng)并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗，其形式都表現(xiàn)為控制器集成電路的散熱。因此，許多單片解決方案的驅(qū)動(dòng)級(jí)由于并聯(lián)組合的關(guān)系都無(wú)法有效地滿足
  • 關(guān)鍵字： PWM  模擬IC  電源  
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