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RF電路設(shè)計有哪些注意點?

- 做了多年的RF研發(fā)工作,在潤欣科技從事RF芯片的支持工作也有7年之久,對于RF電路的設(shè)計經(jīng)驗,在這里和大家一起分享一下,希望以下淺談的內(nèi)容對做RF設(shè)計工作的工程師會有一點幫助,我們閑話少說,直接進入正題。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧?! VB板的參考設(shè)計讓我們事半功倍 當我們設(shè)計上接觸一個全新的RF芯片,要求我們能夠快速的了解這顆芯片RF部分電路的性能指標及對外圍器件的要求,還要快速的做好這部分的設(shè)計工作時,我們最首要需做的就是仔細閱讀并理解芯片規(guī)格書和參考板的設(shè)計及注意事項,這對
- 關(guān)鍵字: RF EVB
基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法

- 1. 引言 NAND FLASH被廣泛應用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法?! ?. VDNF2T16VP193EE4V25簡介 歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH,其內(nèi)部由8片基片拓撲而成,其拓撲結(jié)構(gòu)如下: 其主要特性如下: ? 總?cè)萘?/li>
- 關(guān)鍵字: NAND NIOS II FPGA
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