qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

英特爾最新發(fā)展藍(lán)圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進(jìn)度。根據(jù)外媒報導(dǎo)，英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍(lán)圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應(yīng)商都已經(jīng)開始向1xx層堆疊的發(fā)展當(dāng)下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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Intel SSD將全面轉(zhuǎn)向144層3D QLC閃存：PLC研發(fā)中

在QLC閃存的商用上，Intel和曾經(jīng)的親密戰(zhàn)友美光（英睿達(dá)）步子最靠前，660p、P1系列都在渠道開賣了很長一段時間。日前，Intel非易失性存儲解決方案負(fù)責(zé)人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出貨量超1000萬。她同時公布，基于144層3D QLC閃存（內(nèi)部命名為Arbordale Plus技術(shù)，家族第四代閃存）的SSD（代號Keystone Harbor）會在今年底出貨，Intel準(zhǔn)備在2021年內(nèi)將整個SSD產(chǎn)品線都遷移到144層閃存芯片上。不僅如此，Intel確認(rèn)，容量密度更高
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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中國剛突破128層QLC閃存三星將首發(fā)160層閃存

上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒閑著,三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。對3D閃存來說,堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。不過每家的技術(shù)方案不同,東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術(shù)的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層
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美光發(fā)布全新容量和功能的5210 ION企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤

新聞要點(diǎn)●? ?美光率先在業(yè)界推出面向數(shù)據(jù)中心的四層單元 (QLC) NAND 技術(shù)；●? ?基于 QLC 技術(shù)的美光5210 SATA SSD 正在引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心從 HDD 過渡到 QLC SSD，憑借其全新容量和創(chuàng)新的工作負(fù)載洞察，滿足通用服務(wù)器和存儲的需求；●? ??強(qiáng)勁的客戶需求和 OEM 廠商驗(yàn)證，推動美光 QLC SSD 進(jìn)入市場。內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司
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長江存儲：128層3D NAND技術(shù)會按計劃在今年推出

據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會有所波及。但目前長江存儲已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。▲長江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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集邦咨詢：受新冠肺炎疫情擴(kuò)大沖擊，NAND Flash均價可能提前于下半年反轉(zhuǎn)向下

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動能格外疲弱，但在NAND Flash領(lǐng)域，因?yàn)?020年全年供給位元產(chǎn)出年成長收斂至三成，加上各大供應(yīng)商資本支出保守，第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
關(guān)鍵字：集邦咨詢新冠肺炎 NAND Flash

華邦電進(jìn)軍車用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲器大廠華邦電近日宣布，開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
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存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束？

據(jù)IDC預(yù)測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲器將具有極大的市場。半導(dǎo)體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲器的
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英特爾QLC 3D NAND固態(tài)盤產(chǎn)量破千萬

2019年4月，英特爾推出了傲騰H10混合式固態(tài)盤。這款產(chǎn)品將英特爾傲騰技術(shù)的卓越響應(yīng)速度和英特爾QLC 3D NAND技術(shù)的強(qiáng)大存儲容量融為一體，采用M.2規(guī)格。近日，英特爾非易失性存儲方案事業(yè)部宣布基于中國大連制造的QLC NAND裸片所生產(chǎn)的英特爾? QLC 3D NAND固態(tài)盤（SSD）已達(dá)1000萬個。此項生產(chǎn)始于2018年底，這一新的里程碑也確立了QLC技術(shù)成為主流大容量硬盤技術(shù)的重要地位。英特爾客戶端SSD戰(zhàn)略規(guī)劃與產(chǎn)品營銷總監(jiān)Dave Lundell表示：“很多公司都談?wù)撨^QLC技術(shù)，但只
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引領(lǐng)存儲新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來

近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平，推動全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
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SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據(jù)guru3D的報道，隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時代即將到來，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
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中國首款！長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團(tuán)旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
關(guān)鍵字： 3D NAND

NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND