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1972年1月1日,中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研制成功

  •   中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研制成功
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pmos介紹

PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管   全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor   別名 : positive MOS   金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,柵極上加有足夠的正電壓(源 [ 查看詳細 ]

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