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基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

- 摘要:本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí),采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫片外FLASH的例子,詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。 1 背景描述 筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字: ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
上海海爾:向通用MCU進(jìn)發(fā)

- 今年上半年,上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機(jī)產(chǎn)品,有其自主知識產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列,還有新的觸摸按鍵芯片等,容量涵蓋0.5~64kB,管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計(jì)提供了多樣選擇。 專注于專用MCU的上海海爾,為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下,上海海爾的愿景是什么? 處于從專用向通用MCU升級的開端 MCU(單片機(jī),微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機(jī),而日本、
- 關(guān)鍵字: 海爾 MCU Flash 201408
美光在上海加大研發(fā),實(shí)現(xiàn)“中國設(shè)計(jì)”

- 2014上海慕尼黑電子展期間,美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營銷高級總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》,美光看好中國的前景,因?yàn)橹袊笆濉庇?jì)劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保,實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展,注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新,這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?! ∧壳懊拦庠谏虾S袃蓚€(gè)設(shè)計(jì)中心,主要是做硬件和集成電路設(shè)計(jì),比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品,分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室,旨在與客戶實(shí)現(xiàn)更好的合作,創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
- 關(guān)鍵字: NOR 智慧城市 節(jié)能環(huán)保 閃存
高速接口Hyper Bus催生讀取最快的NOR閃存

- 不久前,Spansion?公司宣布推出突破性的Spansion?HyperBus接口,它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口。 另外,Spansion還推出了首個(gè)基于該新接口的產(chǎn)品家族——SpansionHyperFlash?NOR閃存器件,其讀取吞吐量可達(dá)333MB/s,比當(dāng)今市場上可見速度最快的四SPI的5倍還快,引腳數(shù)量卻僅是并行NOR閃存的1/3。 據(jù)Spansion產(chǎn)品與產(chǎn)業(yè)生態(tài)
- 關(guān)鍵字: HyperBus NOR GUI ADAS 201402
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

- 靜態(tài)隨機(jī)存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號,即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字: SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
基于SPI FLASH的FPGA多重配置

- 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ),從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對多重配置進(jìn)行分析,給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟,對實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
- 關(guān)鍵字: FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]
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