nano nor flash 文章進(jìn)入nano nor flash技術(shù)社區(qū)

東芝營(yíng)益飆升近80% 將加碼投資Flash

　　東芝(Toshiba)9日公布財(cái)報(bào)，受惠于存儲(chǔ)器需求暢旺，營(yíng)益飆升將近80%。該公司并宣布將加碼投資存儲(chǔ)器。　　法新社、路透社、金融時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，東芝發(fā)布本財(cái)年第二季(7~9月)財(cái)報(bào)，營(yíng)收年增2.4%至1.24萬(wàn)億日?qǐng)A，營(yíng)益飆升76%至1,351億日?qǐng)A(12億美元)，高于路透訪調(diào)估計(jì)的1,245日?qǐng)A。不過(guò)該季仍呈現(xiàn)虧損，凈損1,001億日?qǐng)A。　　東芝營(yíng)益大增，主因存儲(chǔ)器表現(xiàn)強(qiáng)勁，不過(guò)東芝已經(jīng)同意出售半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝存儲(chǔ)器”(TMC)給予貝恩資本和SK海力士等集團(tuán)，代價(jià)
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芯片加密后究竟能不能再次使用？

　　隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來(lái)越多了，隨之而來(lái)的芯片安全性的要求也越來(lái)越高了，各個(gè)芯片廠商對(duì)芯片保密性要求越來(lái)越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶打電話過(guò)來(lái)問(wèn)，這個(gè)芯片加密了還能不能用啊。本文通過(guò)對(duì)芯片的加密的介紹來(lái)看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果?！　∫弧lash類型芯片的加密　　Flash類芯片(包括SPI?FLASH?,并行FLASH，NAND?FLASH等)加密后一般情況下都是禁止“寫(xiě)”以及“擦除”操作，通過(guò)
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CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧

CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧-有些資料的文字層有很多文字框，且文字框到線路PAD 間距不滿足制程能力時(shí)；當(dāng)資料有大面積銅箔覆蓋，線路或PAD與銅皮的距離不在制作要求之內(nèi)，且外型尺寸又較大時(shí)...可借鑒本文的處理方法
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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析

　　Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來(lái)越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn)：分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門(mén)必懂知識(shí)

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門(mén)必懂知識(shí)-如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢？將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫(xiě)入一次呢？將參數(shù)存儲(chǔ)到固定的地址，則每個(gè)參數(shù)都將占用Flash的一個(gè)塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個(gè)參數(shù)修改時(shí)，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
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全球NOR Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求兆易創(chuàng)新/華邦電動(dòng)作不斷

隨著各大供應(yīng)商對(duì)NOR Flash的不斷加大投入，未來(lái)其市場(chǎng)將會(huì)逐漸趨于飽和，利潤(rùn)也會(huì)越來(lái)越小，至于整體趨勢(shì)還有待觀察。
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第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成，全球DRAM營(yíng)收季增16.9%

　　集邦咨詢內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來(lái)看，由于客戶端已經(jīng)將庫(kù)存水位逐步往上提升，第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價(jià)格上漲逾一成，行動(dòng)式內(nèi)存則因中國(guó)品牌手機(jī)廠下修出貨數(shù)量，價(jià)格僅小幅上漲5%內(nèi)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場(chǎng)面，受惠于平均銷(xiāo)售單價(jià)的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見(jiàn)，全球DRAM市場(chǎng)第二
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硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

曾經(jīng)飛索的破產(chǎn)和三星的退出使NOR FLASH行業(yè)重新洗牌，同年美光稱霸，臺(tái)灣廠商崛起，NOR FLASH漲價(jià)，行業(yè)迎來(lái)一波反彈。
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硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

　　供給端：原材料價(jià)格調(diào)漲，大廠退出　　原材料漲價(jià) 　　今年以來(lái)半導(dǎo)體硅晶圓市場(chǎng)出現(xiàn)八年以來(lái)首度漲價(jià)情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺(tái)積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進(jìn)工藝占比不斷提高，加大對(duì)高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時(shí)工業(yè)與汽車(chē)半導(dǎo)體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開(kāi)始快速增長(zhǎng)，大陸半導(dǎo)體廠商大舉建廠擴(kuò)產(chǎn)，帶來(lái)新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠集中在日韓臺(tái)，前六大廠商市占98%，在硅片
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1970-2017 DRAM芯片市場(chǎng)的生死搏殺

自1970年，美國(guó)英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來(lái)，已經(jīng)過(guò)去47年，美國(guó)、日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進(jìn)來(lái)，卻在輸光光之后黯然離場(chǎng)。目前，只有韓國(guó)三星和海力士，占據(jù)絕對(duì)壟斷地位，在DRAM市場(chǎng)呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿缽滿。
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NOR Flash行業(yè)趨勢(shì)解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲(chǔ)雄心勃勃

　　這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢(shì)與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績(jī)即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績(jī)沒(méi)有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣(mài)以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會(huì)反饋意見(jiàn)等)，同時(shí)我們調(diào)高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動(dòng)預(yù)期，詳細(xì)測(cè)算供需缺口，以求對(duì)未來(lái)趨勢(shì)定性、定量研究; 　　汽車(chē)電子與工控拉動(dòng)行業(yè)趨勢(shì)反轉(zhuǎn) TDDI+AMOLED新需求錦上添花　　1、汽車(chē)與工控拉動(dòng)2016趨勢(shì)反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗(yàn)證，2016年是NOR
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Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢(mèng)碎

UFS普及并不缺乏機(jī)會(huì)，F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
關(guān)鍵字： Flash UFS

被傳產(chǎn)線遭受重大化學(xué)污染武漢新芯發(fā)聲明回應(yīng)

　　如今某些網(wǎng)絡(luò)新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德，為博眼球胡謅瞎報(bào)，誤導(dǎo)群眾，損人又害己，更有可能會(huì)影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。　　歪曲報(bào)道如下：　　武漢新芯廠內(nèi)傳出化學(xué)污染事件，雖然沒(méi)有造成人員傷亡，但是造成NOR Flash產(chǎn)線制程污染，影響產(chǎn)能在9000片左右，市場(chǎng)預(yù)料，將造成NOR Flash產(chǎn)能缺口。　　由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場(chǎng)，使中低容量產(chǎn)品全球供給量遭遇缺口，現(xiàn)在武漢新芯受到化學(xué)污染，有望再度推升NOR Flash報(bào)價(jià)，市場(chǎng)最
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基于ZigBee技術(shù)的家居智能無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。重點(diǎn)闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無(wú)線節(jié)點(diǎn)的軟硬件設(shè)計(jì)。
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基于FPGA的測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)交換技術(shù)

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲(chǔ)芯片的優(yōu)點(diǎn)有效地結(jié)合起來(lái)，實(shí)現(xiàn)了FPGA對(duì)串行存儲(chǔ)芯片的高效讀寫(xiě)操作，完成了對(duì)大量測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)處理和與上位機(jī)的交換，并在某電力局項(xiàng)目工頻場(chǎng)強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測(cè)儀中成功應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Flash 串行存儲(chǔ) FPGA