nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

64GB NAND閃存芯片需求保持強勁

　　根據(jù)行業(yè)觀察家表示，受智能手機和平板電腦強勁需求推動，64GB NAND閃存市場一直在增長，高密度芯片價格高居不下，反映當前供不應求市場狀況。　　智能手機和平板電腦市場對NAND芯片需求旺盛，也對現(xiàn)貨市場上的芯片供應帶來了負面的影響，即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應系統(tǒng)制造商表示，許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無力獲得穩(wěn)定的供貨。　　供應緊張狀況，鼓勵芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單，比如為智能手機提供容量高達64GB的NAND閃存芯片，并且獲利高于功能手機和其他消費電子產(chǎn)品。　　有消息表示，目
關鍵字： NAND 閃存芯片

產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳，共話閃存與移動技術的世紀交鋒

2013年，隨著智能機平板市場繼續(xù)走熱，以NAND Flash為核心的各類存儲器件缺貨嚴重，存儲器件的供應在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢態(tài)嗎?2013年智能機平板電腦超極本平臺廠商發(fā)力重點在哪里?如何實現(xiàn)差異創(chuàng)新?透過第二屆NAND Flash應用高峰論壇，本土存儲器件領軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量，共同應對存儲挑戰(zhàn)，推進智能機平板創(chuàng)新。
關鍵字： NAND 存儲器 BIWIN

第四季度NAND營業(yè)收入創(chuàng)最高記錄

意外!NAND閃存去年第四季度營業(yè)收入達到最高紀錄，扭轉(zhuǎn)連續(xù)下滑局面
關鍵字： NAND AMOLED

IHS：2012年Q4全球NAND營收大幅成長17%

　　根據(jù)市場研究公司IHS iSuppli 的調(diào)查報告，全球 NAND 快閃記憶體市場在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營收成長──大幅上揚17%，達到了56.34億美元的營收，結(jié)束先前連續(xù)五年第四季營收平均下滑6%的記錄。　　2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達到了202.11億美元。其中，三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應商，兩家公司總共就占掉 NAND 市場三分之二的市占率。此外，美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應商。　　三星在2012年第四季的
關鍵字：美光 NAND

NAND閃存去年第四季度意外增長

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場簡報，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀錄，結(jié)束了之前連續(xù)五個第四季度的下滑局面。　　2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元勁增17%。從兩個方面來看，這種環(huán)比增長具有重要意義：一是結(jié)束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢，二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。　　三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元，
關鍵字： NAND 閃存

2013半導體產(chǎn)業(yè)將實現(xiàn)溫和增長

　　2012年半導體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入為3030.0億美元，相比2011年的3102.1億美元有所降低。預計2013年全球半導體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入增長6.4%，達到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后，預計今年半導體產(chǎn)業(yè)將溫和增長，智能終端、電視與計算等關鍵消費電子產(chǎn)品成為推動芯片營業(yè)收入與需求增長的主要動力。　　智能終端　　2012年半導體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入的下降，緣于消費者在電子產(chǎn)品上面的支出不振，尤其是電腦采購將近占到半導體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入與硅片需求的60%，但是2012年電腦產(chǎn)品的采購量低迷。令
關鍵字： DRAM NAND

延長Flash存儲器使用壽命的研究

　　引言　　隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機、數(shù)字攝像機、移動電話、MP3音樂播放器等移動設備中越來越廣泛的 ...
關鍵字： Flash 存儲器使用壽命

2012年Flash首超DRAM DRAM前途將靠移動DRAM

緣于智能手機、平板電腦等移動電子設備的繼續(xù)紅火走俏，除2010年以外，F(xiàn)lash和DRAM市場規(guī)模日趨接近，再加近2年PC風光不再，致使DRAM需求疲軟，降價聲急。
關鍵字： DRAM Flash

半導體領域"前淡后旺"

　　全球半導體領域在的宏觀經(jīng)濟條件不佳下渡過了艱辛的2012年，近期在美國經(jīng)濟成長逐漸獲得改善之際，領域在末季看似有了復蘇跡象。雖然12月份全球半導體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長，但依然不足以抵銷市場分析員對國內(nèi)半導體領域的消極看法。　　考慮到在全球經(jīng)濟不明朗，對電子產(chǎn)品需求量帶來打擊下，市場分析員依然謹慎看待我國今年的半導體領域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進一步箝制國內(nèi)業(yè)者的業(yè)績表現(xiàn)。無論如何，在預計下半年經(jīng)濟大環(huán)境獲得改善的情況下，國內(nèi)半導體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢上演反
關鍵字：半導體設備 NAND

鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

　　閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。　　TLC閃存每單元存儲3bit數(shù)據(jù)，它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術。　　不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場，例如SD和USB閃存驅(qū)動
關鍵字：鎂光 NAND

分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。　　具體可參見下表。　　 ? 　　“閃存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋果iPhone是NAND的
關鍵字：閃存 NAND

基于分塊管理和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的嵌入式Flash管理

1 引言嵌入式系統(tǒng)中通常都需要存放一些非易失性數(shù)據(jù), 并且數(shù)據(jù)量的大小和數(shù)據(jù)類型根據(jù)不同的系統(tǒng)需求差異很大。因此選取合適的存儲器是完成數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的第一步, 更重要的是使存儲系統(tǒng)長期穩(wěn)定、高效的工作, 這就必
關鍵字：管理嵌入式 Flash 轉(zhuǎn)換狀態(tài) 分塊基于

2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告，2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
關鍵字：蘋果閃存 NAND

NAND Flash內(nèi)存設備的讀寫控制設計

NAND Flash內(nèi)存設備的讀寫控制設計,引言

　　NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Flash因為具有非易失性及可擦除性，在數(shù)碼相機、手機、個人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。NAND Flash
關鍵字：控制設計讀寫設備 Flash 內(nèi)存 NAND

車窗控制系統(tǒng)的LIN2.1協(xié)議應用

引言LIN協(xié)會于1999年發(fā)布了第一版LIN協(xié)議，至今已有十幾年了，在這十幾年中，LIN總線不斷發(fā)展，已經(jīng)在以車身控制為...
關鍵字： LIN2.1協(xié)議定時器 Flash

共1469條 50/98 |‹ « 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]