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DRAM晶圓廠商態(tài)度轉(zhuǎn)硬 出貨報價決不妥協(xié)

  •   進入第二季底,多數(shù)DRAM廠原本為應對季底作帳而壓低DRAM報價,不過,由于日前合約價公布后竟逆勢上漲1~3%,讓所有DRAM廠吃下定心丸,不再擔心DRAM現(xiàn)貨價恐將因DRAM廠拋貨而產(chǎn)生跌價壓力。DRAM渠道商指出,現(xiàn)在DRAM廠態(tài)度可說是相當強硬,客戶端若無法接受其報出價位,寧可不賣也不愿壓低報價。    全球DRAM最新合約價公布后,盡管無法達到DRAM廠原本希望上調(diào)到3~5%的幅度,但部份OEM電腦大廠已接受DRAM廠上調(diào)1~3%的事實,而DRAM廠之所以能順勢漲價,最重要因素在于目
  • 關鍵字: DRAM  其他IC  制程  

DDRII需求過于樂觀 導致DDR供應出現(xiàn)缺口

  •     5月26日消息,近幾個月以來,全球DRAM大廠為配合英特爾(Intel)及國際計算機大廠全力推動DDRII成為下一世代的計算機主流架構,紛紛加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至DDRII,因而造成DDR產(chǎn)出量迅速下滑。也由于計算機大廠對于DDRII做出“過于樂觀”的錯誤判斷,反而需回頭向中國臺灣DRAM廠采買更多的DDR顆粒以因應市場需求。    DRAM廠指出,過去幾個月以來,戴爾(Dell)、惠普(HP)等個人計算機(PC)大廠,對于推升DDRII成為市場主流的態(tài)度越來越積
  • 關鍵字: DRAM  存儲器  

臺灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動近期趨頻繁

  •     近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁,包括華邦電(2344)原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國,以及力晶(5346)原創(chuàng)始元老曾邦助,都相繼轉(zhuǎn)換跑道,為其他DRAM業(yè)者效力,加上華邦電近半年來亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動率偏高情況,DRAM業(yè)界多認為,盡管人員流動不至于影響DRAM廠既有運作,但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。    華邦電發(fā)言人溫萬壽19日表示,王其國原任華邦電BG2(Business Group 2)事業(yè)群總經(jīng)
  • 關鍵字: DRAM  其他IC  制程  

半導體分析師認為DRAM價格下跌將減緩

  •  根據(jù)彭博資訊(Bloomberg),證券業(yè)者花旗集團旗下半導體分析師,宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調(diào)高,理由是認為DRAM價格下跌的狀態(tài)將開始減緩。     據(jù)了解,花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調(diào)高至“買進”,Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調(diào)高至“持有”,韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出,價格可能在下個月或其后一個約觸底,而全球
  • 關鍵字: DRAM  存儲器  

300mm線建設今年掀高潮

  • 2005年3月A版    盡管2005年世界半導體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降,但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求,2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設。據(jù)iSuppli公司預測,當年將共建成16條生產(chǎn)線,比2003和2004年所建線加在一起還多。    2005年建設高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線,其回報在2001年經(jīng)濟衰退中受到嚴重打擊,可執(zhí)著堅持的公司卻在2004年半導體市場再創(chuàng)新高時獲得豐厚回報。 
  • 關鍵字: DRAM  存儲器  

英飛凌在DRAM溝槽技術中取得重大突破

  •   英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學會 2004年12月13~15日于美國舊金山舉行)國際電子器件會議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術,此技術以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎。目前全球25%的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術為基礎的。在其報告中,英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術特征――包括首次在基于溝槽技術的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術突破,顯示了溝槽技術的可伸縮性。
  • 關鍵字: DRAM  存儲器  

2004年12月20日,LG電子選擇瑞薩SH-Mobile用于移動電話手機

  •   2004年12月20日,瑞薩宣布該公司用于2.5G和3G手機的SH-Mobile*1 應用處理器將納入LG電子公司制造的一種新型GSM/EDGE*2 移動電話。
  • 關鍵字: 瑞薩  SH-Mobile  Renesas  

上半年全球DRAM市場增長66% 中國成決定因素

  •   iSuppli最新發(fā)布的報告指出,今年上半年全球DRAM市場規(guī)模比去年同期增長66%,中國市場增長88%,其次為亞太地區(qū)(不含中國)的81%。日本經(jīng)濟情況改善,其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%,遠不及全球的66%。     在主要供貨商方面,Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長;而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場,Hynix是該地區(qū)的領導廠商,市場占有率高達42%,去年同期為40%。
  • 關鍵字: DRAM  存儲器  

新衛(wèi)星登空 可??提供電視手機服務

  • Mobile Broadcasting公司宣布3月13日成功發(fā)射了一顆廣播電視業(yè)務衛(wèi)星,同時表示商用服務將如期於2004年7月開通。此衛(wèi)星將以廣播服務主,并提供部分收費性內(nèi)容服務,同時計劃投專用接收終端
  • 關鍵字: Mobile  電視手機  

2003年10月2日,瑞薩成立“SH-Mobile團體”

  •   以面向手機的應用處理器“SH-Mobile”為基礎,以會員制建立硬件與手機末端開發(fā)者的“SH-Mobile團體”,并大量招募會員。
  • 關鍵字: 瑞薩  SH-Mobile  Renesas  

微軟手機軟體市場再下一城

  • 根據(jù)路透社報導,微軟公司2月17日宣布,繼法國行動電話系統(tǒng)業(yè)者Orange後,隸屬於德國電信的德國行動電話系統(tǒng)者T-Mobile將成為第二個采用該公司手機軟體的歐洲業(yè)者。T-Mobile是第四家宣布采用微軟Microsoft-TI試驗型設計的運營商,之前三家分別是Orange、美國的AT&T Wireless和菲律賓的Smart
  • 關鍵字: 微軟  Orange  T-Mobile  GSM  

美商凱創(chuàng)獲獎入侵偵測系統(tǒng)Dragon新版問世

  • 企業(yè)網(wǎng)路設備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示,日內(nèi)發(fā)表其獲獎產(chǎn)品Dragon入侵偵測系統(tǒng)(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基礎架構中加入更好的延展性、可用性與彈性,以強化企業(yè)網(wǎng)路的安全
  • 關鍵字: IDS  凱創(chuàng)  DDR2  DRAM  

德國無線業(yè)者T-Mobil獲朗訊奧援

  • 朗訊科技日前宣布,他們已在預定時間之內(nèi),完成網(wǎng)路加強功能的建置,讓德國無線業(yè)者T-Mobil成為世界上第一個在GPRS上部署商用高速行動網(wǎng)際網(wǎng)路服務的系統(tǒng)業(yè)者。GPRS是加強GSM數(shù)位網(wǎng)路功能的產(chǎn)業(yè)標準技術,采用「持續(xù)開機」高速連線直達新一代網(wǎng)際網(wǎng)路行動設備
  • 關鍵字: GPRS  AMPS  TDMA  朗訊  升陽  T-MOBILE  

1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功

  •   1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
  • 關鍵字: 華晶  DRAM  

1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功

  •   1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
  • 關鍵字: 芯片  DRAM  
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