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low emi 文章 進(jìn)入low emi技術(shù)社區(qū)
防止過(guò)熱與EMI損壞的工業(yè)級(jí)設(shè)計(jì)考量
- 前言工業(yè)應(yīng)用中的電子控制與傳感組件能在制造、加工與生產(chǎn)的眾多方面提供支持或?qū)崿F(xiàn)顯著的性能提升。但是，電子設(shè)備必須能夠承受生產(chǎn)鋼材、石油產(chǎn)品與化工品等惡劣環(huán)境或是具有極端高溫、多灰塵以及潮濕的礦山環(huán)境。
- 關(guān)鍵字： EMI
無(wú)電感D類音頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)極低EMI（電磁干擾）
- 功率電感和鐵氧體磁環(huán)的價(jià)格差異顯著，這推動(dòng)了D類音頻放大器濾波設(shè)計(jì)步入無(wú)電感時(shí)代。但同時(shí)，在鐵氧體磁珠的作用下，濾波器的截止頻率會(huì)急劇飆升，從幾千赫茲增加到幾兆赫茲;從而削弱了濾波器的EMI抑制效果。因此，D類應(yīng)用亟需降低EMI噪聲。在D類音頻無(wú)電感應(yīng)用中，要取得良好的EMI結(jié)果取決于電路板電平調(diào)整與適當(dāng)?shù)腜CB布局。鐵氧體磁環(huán)配備適當(dāng)?shù)碾娙菘梢越档虳類輸出邊緣速率，但同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生一些瞬時(shí)振蕩，加劇傳導(dǎo)性電磁干擾，因此，需要利用佐貝爾電路降低瞬時(shí)振蕩。
- 關(guān)鍵字： 無(wú)電感 D類音頻 EMI
幾招教你搞定LED的EMC/EMI問(wèn)題
- 針對(duì)于設(shè)計(jì)LED電源的工程師來(lái)說(shuō)，電磁干擾問(wèn)題應(yīng)該是一直存在于設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，尤其是在今年7月16日中國(guó)國(guó)家認(rèn)監(jiān)委把LED驅(qū)動(dòng)電源納入了3C強(qiáng)
- 關(guān)鍵字： EMC/EMI LED設(shè)計(jì)
對(duì)單片機(jī)系統(tǒng)可行的EMS技術(shù)方法
- EMC電磁兼容性包括EMI(interference)和EMS(susceptibility)，也就是電磁干擾和電磁抗干擾。用于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的單片用系統(tǒng)，易受各種電磁干擾的侵襲，直接影響到
- 關(guān)鍵字： EMS技術(shù) EMI 單片機(jī)
開(kāi)關(guān)電源EMI的五大抑制策略
- 開(kāi)關(guān)電源是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件并綜合電力變換技術(shù)、電子電磁技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)等的電力電子產(chǎn)品。因其具有功耗小、效率高、體積小、重量
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 EMI 抑制策略
數(shù)字電路PCB設(shè)計(jì)中的EMI控制技術(shù)
- 1 EMI 的產(chǎn)生及抑制原理 EMI 的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過(guò)耦合路徑將能量傳遞給敏感系統(tǒng)造成的。它包括經(jīng)由導(dǎo)線或公共地線的傳導(dǎo)、通過(guò)空間輻射或通過(guò)近場(chǎng)耦合三種基本形式。EMI 的危害表現(xiàn)為降低傳輸信號(hào)質(zhì)量，對(duì)電路或設(shè)備造成干擾甚至破壞，使設(shè)備不能滿足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)要求。 為抑制EMI，數(shù)字電路的EMI 設(shè)計(jì)應(yīng)按下列原則進(jìn)行： * 根據(jù)相關(guān)EMC/EMI 技術(shù)規(guī)范，將指標(biāo)分解到單板電路，分級(jí)控制。 * 從EMI 的三要素即干擾源、能量耦合途徑和敏感系統(tǒng)這三個(gè)方面
- 關(guān)鍵字： PCB EMI
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