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IR全新DSCC規(guī)格線性電壓調(diào)節(jié)器

  • 功率半導體領袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 推出采用高密度、密封式封裝的全新大電流、超低壓降 (ULDO) 線性電壓調(diào)節(jié)器系列，適用于軍品應用。全新調(diào)節(jié)器具有0.43V 至 0.6V 典型壓降特性。低壓降意味著低功耗，正好符合軍用及商用飛機、地面交通工具、雷達等功率受限應用的要求。ULDO 直流-直流調(diào)節(jié)器件具有低紋波和噪音，以及1% 的調(diào)節(jié)容差，特別適用于要求快速瞬態(tài)反應及輸出電壓 +20V 和 +1.8V 之間的低電壓負載點數(shù)字母線應用。先進的 PC
  • 關鍵字： IR  

IR為無感應器電機控制推出全新集成設計平臺

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一款全新集成設計平臺，適用于永磁電機的無感應器控制。這是IR的iMOTION專用設計平臺系列的第二批產(chǎn)品，能為高速軸徑及其他需要精確控制的機械提供電機控制。新集成設計平臺包括所有硬件和軟件，加上經(jīng)驗證的模擬及功率級設計?；旌闲盘栃酒M與控制算法合并設計，有助簡化設計、大幅降低整體制造成本，并大大縮短產(chǎn)品上市時間。IRMCS203開發(fā)系統(tǒng)融合Accelerator可配置控制引擎技術，當中采用的專有無感應器算法只需
  • 關鍵字： IR  

IR全新PlugNDrive集成功率模塊為家電簡化電機驅動器設計

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRAMS10UP60A PlugNDrive集成功率模塊，有助簡化家用電器及輕工業(yè)應用系統(tǒng)中的變速電機控制電路。新功率模塊屬于IR iMOTION集成設計平臺系列，它把一個三相逆變器功率平臺、柵驅動器及輔助電路，融合于緊湊、性能強勁的絕緣式封裝內(nèi)。 目前，有越來越多家電制造商在產(chǎn)品內(nèi)裝設電子控制式變速電機，以實現(xiàn)省電節(jié)能之效，最高可節(jié)省30% 能源之多。新模塊的額定電流為10A，是特別為洗衣機、室內(nèi)空調(diào)及商用
  • 關鍵字： IR  模塊  

IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅動器性能

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
  • 關鍵字： IR  封裝  

IR推出全新直流總線轉換器芯片組

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首個直流總線轉換器芯片組系列，重新定義用于電信及網(wǎng)絡系統(tǒng)的48V輸入、150W基板安裝功率轉換器的分布式電源架構。IR的直流總線轉換器芯片組架構為整體效率、功率密度和簡易性建立了全新基準，能在小于1.7平方英寸電路占位上，于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業(yè)界標準的四分一磚設計相比，該芯片組能節(jié)省53%的體積，并可將隔離式轉換器的元件數(shù)目由約50個大幅縮減至20個。全新芯片組包含一個IR20
  • 關鍵字： IR  

IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
  • 關鍵字： IR  

IR推出性能經(jīng)改良的電子繼電器

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實現(xiàn)更低起動電流，以及高水平抗沖擊與振動性能，有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富
  • 關鍵字： IR  繼電器  

IR公布2003財年第四季度業(yè)績

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 公布2003財年第四季度業(yè)績，季內(nèi)營業(yè)收益為2.284億美元，不包括早前公布有關遣散及重組活動的開支，模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元)，營業(yè)收益則為2.01億美元。計入共380萬美元的遣散及重組開支后，IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營業(yè)收益在預定指標上端，比上季度增加超過6%，比去年同
  • 關鍵字： IR  

IR全新16A額定集成功率模塊簡化電機驅動器設計且節(jié)能

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A，全面簡化變速電子電機控制電路。 最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機降低多達30%的能耗，并專為750W至1.2kW變速電機驅動應用而設計，如室內(nèi)空調(diào)系統(tǒng)、商用冷藏柜及大容量洗衣機。 新功率模塊屬于IR iMOTION集成設計平臺系列一部分，將一個三相逆變器功率平臺、柵驅動器和輔助電路結合在小巧的高性能絕緣型封裝
  • 關鍵字： IR  模塊  

IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅動器性能

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
  • 關鍵字： IR  封裝  

IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開關操作

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
  • 關鍵字： IR  

IR推出性能經(jīng)改善良的電子繼電器

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早先前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實現(xiàn)更低起動電流，以及高水平抗沖擊與振動性能，有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國
  • 關鍵字： IR  繼電器  

IR為交錯降壓直流-直流轉換器推出XPhase可擴展性多相架構

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高度靈活和可擴展的XPhase架構，適用于需要一個或更多相位的多相交錯降壓直流-直流轉換器。首個Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路，可提供超出CPU電壓調(diào)節(jié)組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案，適用于服務器和高端臺式電腦內(nèi)最先進的微處理器。IR XPhase架構有別于其它只能驅動有限相位的多相方案，它提供可擴展的多相設計，滿足先進CPU瞬息萬
  • 關鍵字： IR  

IR推出專攻高頻開關電源應用的經(jīng)濟型大功率150kHz IGBT

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務器系統(tǒng)中的大電流、高頻開關電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國及香港銷售總監(jiān)
  • 關鍵字： IR  模擬IC  電源  

IR推出多用途80V MOSFET

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET，額定電壓達80V，可用作隔離式直流-直流轉換器中的原邊和付邊MOSFET，專攻網(wǎng)絡通信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領域。作為原邊MOSFET時，IRF1312能用于高達60V最大輸入電壓，因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉換器應用中的半橋或全橋結構。與同類75V MOSFET相比，其80V額定電壓提供額外6% 的防護帶，使設計更加堅固耐用。IR中國
  • 關鍵字： IR  
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