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IR推出專攻高頻開關(guān)電源應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型大功率150kHz IGBT
- 功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務(wù)器系統(tǒng)中的大電流、高頻開關(guān)電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價(jià)格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國及香港銷售總監(jiān)
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IR推出多用途80V MOSFET
- 功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET，額定電壓達(dá)80V，可用作隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器中的原邊和付邊MOSFET，專攻網(wǎng)絡(luò)通信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領(lǐng)域。作為原邊MOSFET時(shí)，IRF1312能用于高達(dá)60V最大輸入電壓，因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的半橋或全橋結(jié)構(gòu)。與同類75V MOSFET相比，其80V額定電壓提供額外6% 的防護(hù)帶，使設(shè)計(jì)更加堅(jiān)固耐用。IR中國
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IR推出運(yùn)行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊
- 功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新MTP隔離式開關(guān)模塊系列，它們以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣，在結(jié)點(diǎn)與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性 (冷卻能力) 比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600V和1200V，它們把高速IGBT和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi)，有助節(jié)省空間和降低組裝成本，可取代分立式解決方案。新器件專為大電流工業(yè)電源而設(shè)計(jì)，適用于高頻弧焊機(jī)及不間斷電源 (UPS)。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富先生
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IR推出可替代機(jī)電式繼電器的300V MOSFET功率器件
- 功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新產(chǎn)品IRF3000。它是一個(gè)300V、N溝道HEXFET功率MOSFET，用于取代多種電信及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的機(jī)電式繼電器。新器件是一種固態(tài)半導(dǎo)體，無機(jī)械部分，故可提高整體系統(tǒng)可靠性，且體積比機(jī)電式繼電器低30%之多。IRF3000比機(jī)電式繼電器更具效率，導(dǎo)通電阻比機(jī)械繼電器低90%以上，最大限度地減低了傳導(dǎo)損耗。新器件的柵電荷極低，可最大程度減低開關(guān)損耗。IRF3000比繼電器更易驅(qū)動(dòng)，有助簡化電路設(shè)計(jì)并降低整體
- 關(guān)鍵字： IR 繼電器
IR披露最高集成度智能功率模塊
- 國際整流器公司 (International Rectifier)披露首個(gè)iNTERO可編程隔離式智能功率模塊 (PI-IPM)，在單一封裝內(nèi)將功率平臺(tái)整合到嵌入式驅(qū)動(dòng)器板上，納入一個(gè)可編程數(shù)字信號(hào)處理器。新器件型號(hào)為PIIPM50P12B004，額定值為1200V和50A，具備電流傳感、隔離、柵驅(qū)動(dòng)器及功率平臺(tái)保護(hù)功能，可直接與電機(jī)驅(qū)動(dòng)器主機(jī)及輸入平臺(tái)接口，方案內(nèi)設(shè)有基本應(yīng)用指令集及開發(fā)工具，效率高、堅(jiān)固耐用，噪音低。該模塊電流反饋環(huán)路頻寬5kHz，提供平直的安全操作區(qū)，融合了IGBT技術(shù)，采用EMP封
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IR推出更小的集成式開關(guān)(6.29)
- 功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高效、低成本強(qiáng)化集成開關(guān)IRIS系列，將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi)，可簡化電路設(shè)計(jì)，減少了印制電路板尺寸及25%的元件數(shù)目。與交流-直流開關(guān)電源的分立電路相比，效率相同，甚至更佳。 全新IRIS集成開關(guān)系列將一個(gè)低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個(gè)雙電壓及電流控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi)，適用于通用輸入及單輸入60W至180W開關(guān)電源的反激變換技術(shù)。
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