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電力半導體模塊的發(fā)展過程及新趨勢
- 摘要:簡要敘述了電力半導體模塊的發(fā)展過程,介紹了晶閘管智能模塊的結構和特性,描述了IGBT智能模塊的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,指出了我國大力發(fā)展IPEM的必要性。 關鍵詞:電力半導體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊 一種新型器件的誕生往往使整個裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀,促進電力電子技術向前發(fā)展。自1957年第一個晶閘管問世以來,經過40多年的開發(fā)和研究,已推出可關斷晶閘管(GTO),絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導體器件,目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
- 關鍵字: 電力半導體模塊 智能晶閘管模塊 IGBT模塊 半導體材料
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