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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> igbt 7

提升IGBT自給率 給工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域一顆“中國(guó)芯”

  • 　　半導(dǎo)體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場(chǎng)巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)廣闊，而中國(guó)IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國(guó)產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。 　　IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。 　　不過(guò)當(dāng)前全球IGBT市場(chǎng)，仍被日、歐、美等IDM
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三菱電機(jī)第7代IGBT技術(shù)

  • 為了應(yīng)對(duì)補(bǔ)貼下降帶來(lái)的影響，市場(chǎng)對(duì)光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強(qiáng)。目前來(lái)看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會(huì)很大程度上彌補(bǔ)支付補(bǔ)貼的下降。因此，隨著市場(chǎng)的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會(huì)加快進(jìn)入到市場(chǎng)的步伐。另外，光伏發(fā)電的效率和可靠性等要求也將相應(yīng)提高，以提高光伏電站的產(chǎn)出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護(hù)成本。因此，新技術(shù)在光伏電站和光伏逆變器中的應(yīng)用需求將不斷加強(qiáng)，并且將促進(jìn)光伏發(fā)電行業(yè)的良性競(jìng)爭(zhēng)和健康發(fā)展。
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全新62mm封裝模塊實(shí)現(xiàn)更高功率密度

  • 　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其62 mm 封裝IGBT模塊陣容。新推出的功率模塊可滿足提高功率密度而不增加封裝尺寸這一與日俱增的需求，這應(yīng)歸功于將更大面積的芯片和經(jīng)改良的DCB襯底應(yīng)用于成熟的62 mm封裝而得以實(shí)現(xiàn)。1200 V阻斷電壓模塊的典型應(yīng)用包括：變頻器、太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS)，1700 V阻斷電壓模塊則適用于中壓變頻器?！　?200 V阻斷電壓的62 mm模塊的額定電流最高達(dá)到600A，1700 V
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“e星球”領(lǐng)先展商 系列報(bào)導(dǎo)——Alpha and Omega

  • 　　Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)與銷售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,AOS提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產(chǎn)品系列。其在器件物理，工藝技術(shù)，電路設(shè)計(jì)及封裝設(shè)計(jì)上擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。通過(guò)將這些經(jīng)驗(yàn)整合用于產(chǎn)品性能以及成本控制的優(yōu)化，AOS在競(jìng)爭(zhēng)中顯示出自身的特色。AOS的產(chǎn)品線設(shè)計(jì)的目標(biāo)是滿足日益增長(zhǎng)的高產(chǎn)量，高效能產(chǎn)品的應(yīng)用需求，包括手提電腦、平板電視、
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英飛凌徐輝：半導(dǎo)體是未來(lái)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展的基礎(chǔ)

  • 　　1月14日-15日，2017中國(guó)電動(dòng)汽車百人會(huì)論壇在釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館舉行，騰訊汽車作為戰(zhàn)略合作媒體將進(jìn)行全程直播。會(huì)上，英飛凌科技(中國(guó))有限公司大中華區(qū)副總裁徐輝進(jìn)行了主題演講。 　　以下為發(fā)言實(shí)錄： 　　大家早上好!首先非常開(kāi)心今天能再次來(lái)到百人會(huì)的論壇，能分享英飛凌對(duì)整個(gè)行業(yè)發(fā)展的看法和觀點(diǎn)。 　　今天在吳主任的領(lǐng)導(dǎo)下，演講嘉賓分工比較明確，今天我想談一談半導(dǎo)體如何支持整個(gè)汽車行業(yè)創(chuàng)新。正好中車的丁總也把功率半導(dǎo)體IGBT這方面講了，我更多從我們的角度出發(fā)，功能安全和信息安全正好分開(kāi)了，不用重
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中國(guó)工程院院士丁榮軍：汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢(shì)

  • 　　我的匯報(bào)分三個(gè)部分。 　　首先簡(jiǎn)單介紹汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢(shì)。 　　功率半導(dǎo)體器件最早都是由晶閘管后來(lái)變成GTO到MOSFET，到現(xiàn)在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統(tǒng)的器件相比，主要是驅(qū)動(dòng)比較簡(jiǎn)單，同時(shí)損耗比較小，比較適合用于牽引傳動(dòng)包括電機(jī)控制器等。IGBT器件包括原來(lái)講的功率半導(dǎo)體器件，都被譽(yù)為傳統(tǒng)系統(tǒng)，在高鐵里一樣，把它稱之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點(diǎn)的轉(zhuǎn)換，是電機(jī)控制系統(tǒng)的CPU。 　　目前電動(dòng)汽車器件大概占到控制器總成本的30%左右
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解析國(guó)內(nèi)IGBT增量需求主力何在

  • 受益于新能源電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通的快速發(fā)展，未來(lái)IGBT市場(chǎng)將迎來(lái)爆發(fā)。
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助力工業(yè)4.0發(fā)展 世強(qiáng)創(chuàng)新應(yīng)用研討會(huì)圓滿舉行

  • 傳統(tǒng)工業(yè)如何乘著工業(yè)4.0的東風(fēng)，加快智能制造裝備發(fā)展、加快構(gòu)建工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)、加強(qiáng)關(guān)鍵共性技術(shù)創(chuàng)新也成為現(xiàn)今的熱點(diǎn)問(wèn)題，這次世強(qiáng)舉辦研討會(huì)，旨在幫助工程師了解工業(yè)4.0的相關(guān)器件產(chǎn)品、前沿技術(shù)方案，從而更好的解決其在創(chuàng)新時(shí)的問(wèn)題。
  • 關(guān)鍵字： 工業(yè)4.0  IGBT  

無(wú)刷直流電機(jī)控制器硬件設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)

  • 0引言無(wú)刷直流電機(jī)(以下簡(jiǎn)稱BLDCM)用電子換相器取代機(jī)械換向器，根除了電刷和換向器接觸磨損所導(dǎo)致的壽命周期短、電氣絕緣低、火花干擾強(qiáng)
  • 關(guān)鍵字： BLDC  無(wú)刷直流電機(jī)  IGBT  旋轉(zhuǎn)變壓  

研發(fā)、制造、應(yīng)用 高鐵IGBT芯片實(shí)現(xiàn)全面國(guó)產(chǎn)化

  • IGBT芯片的研發(fā)成功意味著，按中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)制造的高鐵上，將安裝具有我國(guó)完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的‘中國(guó)芯’。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  芯片  

我國(guó)IGBT首次出口海外市場(chǎng)

  • 　　根據(jù)湖南省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)發(fā)布的消息，近日，中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品，成功中標(biāo)印度機(jī)車市場(chǎng)，將用于該國(guó)電力貨運(yùn)重載機(jī)車改造升級(jí)項(xiàng)目，這是該產(chǎn)品首次出口海外。 　　絕緣雙極性晶體管(IGBT)是目前技術(shù)最先進(jìn)的電力電子器件，廣泛應(yīng)用于家用電器、新能源裝備、軌道交通、直流輸電、自動(dòng)化和智能控制領(lǐng)域，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。該技術(shù)一直由英飛凌、ABB、三菱等國(guó)外公司壟斷。中車株洲所在引進(jìn)吸收的基礎(chǔ)上，建成世界第二條8英寸I
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全橋型IGBT脈沖激光電源電路

  • V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲(chǔ)能電容，Lo用于限制Co對(duì)負(fù)載氙燈的放電電流，保護(hù)氙燈。此處將限流電感L放在變壓器原邊。這除了能實(shí)現(xiàn)功率管的零電壓開(kāi)通外，例如在V1，V4關(guān)斷后，由于L的續(xù)流作用，D2...
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IGBT變頻電源電路

  • JS為軟啟動(dòng)控制,避免上電時(shí)浪涌電流對(duì)整流模塊的沖擊。IGBT變頻電源電路:
  • 關(guān)鍵字： IGBT  變頻電源  

IGBT基本結(jié)構(gòu)及電路圖

  • IGBT實(shí)在BDMOS型功率場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下，增加一個(gè)P+層發(fā)射極而行程pn，如圖1-31所示，就構(gòu)成IGBT。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  基本結(jié)構(gòu)  

IGBT靜態(tài)特性與參數(shù)及電路圖

  • IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開(kāi)關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制參數(shù)是柵源電壓，而不是基極電流。...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  靜態(tài)特性  
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igbt 7介紹

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