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SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革

  • 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  High-k  Metal Gate  

可穿戴與IoT用DC/DC：如何實現(xiàn)納安級消耗電流？ 　

  • 可穿戴等市場發(fā)展快。DC/DC轉(zhuǎn)換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 可穿戴  DC/DC  降壓型  輕載  nA  201804  

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作

  • 一、設計及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
  • 關(guān)鍵字： 制作  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end  

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作方法

  • 一、設計及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
  • 關(guān)鍵字： 制作方法  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end  

安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設計套件

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關(guān)鍵字： 安森美  ADS  High-QIPD  高電阻率  硅銅  

電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--1NA~100UA轉(zhuǎn)0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調(diào)很困難，所以允許A2的正
  • 關(guān)鍵字： 100  0.1  KHZ  NA    

如何制作High-end A4監(jiān)聽音箱

  • 一、設計及制作
    由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：
    no＝knmiddot;f33middot;VB
    上式中，k
  • 關(guān)鍵字： 監(jiān)聽  音箱  A4  High-end  制作  如何  

Derive simple high-current source from lab sup

  • Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
  • 關(guān)鍵字： high-current  Derive  simple  source    

制作High-end A4監(jiān)聽音箱的方法

  • 一、設計及制作
    由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：
    no＝kn?f33?VB
    上式中，kn是箱體系數(shù)，
  • 關(guān)鍵字： 音箱  方法  監(jiān)聽  A4  High-end  制作  

半導體設備業(yè)研發(fā)經(jīng)費拮據(jù)　聯(lián)盟關(guān)系將成救星

  • 　　市場研究機構(gòu)Gartner警告，半導體設備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預算恐怕在接下來的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領域陷入危機。不過該機構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。 　　缺乏適當?shù)耐顿Y將導致技術(shù)藍圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰(zhàn)的準備;在目前營收低迷的情況下，半導體設備業(yè)正面臨著如此的危機點。不過Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結(jié)盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營收減少對研發(fā)所帶來的沖擊。 　　Fr
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臺灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

  • 　　ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。 　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進行制程開發(fā)活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節(jié)點開發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。 　　納米節(jié)點上實現(xiàn)成功的high-K制程
  • 關(guān)鍵字： ASM  high-k  晶圓  

凌華推出High Speed Link延伸模塊

  • 　凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶提供最長可達2400公尺的長距離使用及多點連接(multi-drop)接線架構(gòu)，搭配高達十余種I/O及運動控制模塊的組合，提供客戶實時控制的完整解決方案。 　　   　　凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠程I/O實時控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對接線的
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瑞昱推出High Definition 音訊轉(zhuǎn)換芯片

  • 音訊內(nèi)容保護 (Content Protection) 技術(shù)與透過傳統(tǒng)電話的Skype應用功能加速音訊轉(zhuǎn)換芯片在數(shù)字家庭的應用 瑞昱半導體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準音訊轉(zhuǎn)換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內(nèi)建內(nèi)容保護與防拷&nbs
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尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用

  • 　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。  　　這家大型半導體廠商的名字，尼康沒有公布，估計是過去在技術(shù)方面與之開展合作的東芝。  　　作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部
  • 關(guān)鍵字： NA  尼康  嵌入式系統(tǒng)  
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