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氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進展
- 本文要點? 氮化鎵是一種晶體半導體,能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體,徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動器應用氮化鎵是一種晶體半導體,能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導體的電流速度更快,因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個行業(yè)。氮化
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Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)
- 近期,Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示,通過此次收購,公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示,公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管,并將其
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純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商
- 7月1日,純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布已收購Tagore專有且經(jīng)過生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及IP產(chǎn)品組合,以突破汽車、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示,無晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月,旨在開拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術(shù),在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計中心。格芯表示,此次收購進一步鞏固公司對大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心,該技術(shù)提供多種優(yōu)勢,可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長的電力需求,
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革新GaN IPM技術(shù):引領(lǐng)高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)進入新時代
- 在當今能效需求日益增長的時代背景下,家電及HVAC系統(tǒng)的設(shè)計師們正全力以赴地追求更高的能效標準。與此同時,他們也積極響應消費者對可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟實用的系統(tǒng)的期待。市場上的主要設(shè)計挑戰(zhàn)在于,如何在不增加系統(tǒng)成本的前提下,設(shè)計并開發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟適用的電機驅(qū)動器。這一挑戰(zhàn)要求設(shè)計師們不斷創(chuàng)新,以實現(xiàn)能效與實用性的完美結(jié)合?;谝陨媳尘?,德州儀器(TI)再次走在行業(yè)前沿,通過其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵(GaN)智能功率模塊(IPM),為高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)帶來了革命性的改變。近日,德州儀器在發(fā)布
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臺達電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室,瞄準GaN
- 6月21日,臺達電子宣布與全球半導體領(lǐng)導廠商德州儀器(TI)成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室。臺達表示,此舉不僅深化雙方長期合作關(guān)系,亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵(GaN)等半導體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng)新技術(shù),強化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢,增強臺達在電動車領(lǐng)域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動車方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示:“透過與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室,運用TI在數(shù)位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗與技術(shù)優(yōu)勢,提升電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能,期盼雙方達到更緊密的技術(shù)交流及合作,以更具前瞻
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GaN“上車”進程加速,車用功率器件市場格局將改寫
- 根據(jù)Yole機構(gòu)2024 Q1的預測,氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%,其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場(automotive & mobility),“從無到有”,五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應用市場(圖1)。而相比之下,碳化硅(SiC)應用市場成長則顯得比較溫和,CAGR遠低于GaN(圖1)。隨著GaN“上車”進程加速,功率器件器件市場競爭格局或?qū)⒈桓膶?。圖1:在GaN市場份額變化中,汽車與出行市場 “從無到有”,五年后
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德州儀器推出先進的GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

- ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù),助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率?!? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計大型家用電器及加熱、通風和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通常面臨的許多設(shè)
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德州儀器推出先進的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

- 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù),助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。中國上海(2024 年 6 月 18 日)– 德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計大型家用電器及加熱、通風和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通
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漲知識!氮化鎵(GaN)器件結(jié)構(gòu)與制造工藝
- 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同,本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu),再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進行對比,總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外,對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述,加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上,對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝(一)器件結(jié)構(gòu)對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié),目前市面上還未出現(xiàn)G
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純化合物半導體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)
- 6月14日,純化合物半導體代工廠穩(wěn)懋半導體(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前,NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成,最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成,并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導體介紹,該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù),該技術(shù)結(jié)合了多項改進,以增強直流和射頻的耐用性,并增加芯片級防潮性。NP12-0
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CGD為電機控制帶來GaN優(yōu)勢
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽w公司,開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN) 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克股票代碼:QRVO)合作開發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設(shè)計和評估套件(EVK)。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機(BLDC)和永磁同步電機(PMSM)應用中的使用,打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
- 無晶圓廠環(huán)??萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝,堅固可靠。DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝,外形尺寸僅為10x10 mm,并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù),便于光學檢查。它具有低熱阻(Rth(JC)),可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運行,
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CGD與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)簽署了諒解備忘錄,以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場信息、實現(xiàn)對潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務官“我們很高興能與ITRI合作,ITRI擁有一個電力解決方案研究團隊,在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項交易預計將于2024年7月完成,屆時Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應用于該公司的眾多產(chǎn)品系列,包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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適用于三相電機驅(qū)動的智能功率模塊設(shè)計實用指南
- 本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設(shè)計提供實用指南,該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機驅(qū)動,包含三相變頻段、柵極驅(qū)動器等。設(shè)計構(gòu)思SPM 31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此,它采用了新型柵極驅(qū)動高壓集成電路 (HVIC)、基于先進硅技術(shù)的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT),以及基于壓鑄模封裝的改進型直接鍵合銅 (DBC) 襯底。與現(xiàn)有的分立方案相比,SPM 31 v2 的電路板尺寸更小,可靠性更高。其目標應用為工業(yè)變頻電機驅(qū)動,例如商用空調(diào)
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan ipm的理解,并與今后在此搜索gan ipm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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