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FLIR攜全新OEM機(jī)芯產(chǎn)品亮相第八屆國(guó)際光電展

  •   5月9-11日,具有行業(yè)風(fēng)向標(biāo)之稱(chēng)的第八屆中國(guó)(北京)國(guó)際光電展在北京國(guó)家會(huì)議中心隆重舉辦。第八屆中國(guó)(北京)國(guó)際光電展覆蓋光電信息、智能制造、激光應(yīng)用、光通信與傳感、虛擬現(xiàn)實(shí)、高端儀器、新材料、安防等領(lǐng)域,旨在實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品展示與項(xiàng)目對(duì)接一體化,學(xué)術(shù)交流與成果轉(zhuǎn)化一體化,搭建產(chǎn)學(xué)研合作最實(shí)用平臺(tái)。作為OEM熱像儀機(jī)芯廠商的市場(chǎng)領(lǐng)軍者,菲力爾(FLIR)作為重要展商參加了活動(dòng)。        展示制冷及非制冷機(jī)芯產(chǎn)品  作為熱像儀產(chǎn)品全球領(lǐng)先生產(chǎn)商,F(xiàn)LIR所生產(chǎn)的機(jī)芯產(chǎn)品也
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CCD與CMOS技術(shù),我們居然還有這么多不知道

  •   在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴(kuò)展,不僅由新的影像感測(cè)器技術(shù)和產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)所推動(dòng),還由支援平臺(tái)的進(jìn)步所推動(dòng),如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天,成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見(jiàn),如配線檢查、交通監(jiān)測(cè)/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像,由于影像感測(cè)器技術(shù)的進(jìn)步,使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測(cè)器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計(jì),審視這兩大平臺(tái)對(duì)于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測(cè)器很有幫助。  電子成像技術(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)60年代,諾貝爾獎(jiǎng)得主Boyle和Smit
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如何提高抗干擾能力和電磁兼容性

  •   在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí),如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法。  一、下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾:  1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高,總線周期特別快的系統(tǒng)?! ?、系統(tǒng)含有大功率,大電流驅(qū)動(dòng)電路,如產(chǎn)生火花的繼電器,大電流開(kāi)關(guān)等?! ?、含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)?! 《樵黾酉到y(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施:  1、選用頻率低的微控制器:  選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波,方波中的高頻成份比
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工業(yè)成像的CCD及CMOS技術(shù)之對(duì)比

  • 在比較CCD和CMOS技術(shù)時(shí)試圖確定一個(gè)“贏家”,但這真的對(duì)兩者都有損公正,因?yàn)槊糠N技術(shù)都是獨(dú)一無(wú)二的,提供不同的終端用戶(hù)優(yōu)勢(shì),東西好不好要看怎么用。
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模擬IC與數(shù)字IC異同

  •   處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱(chēng)為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性,可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào),都是脈沖方波?! ∧MIC按技術(shù)類(lèi)型來(lái)分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來(lái)分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
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CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理方法

  •   本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法,并且對(duì)每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明,希望大家能從本文得到有用的知識(shí),解決輸入端多余的問(wèn)題?! MOS門(mén)電路  CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無(wú)電流,所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號(hào)易受外界干擾,所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法:  與門(mén)和與非門(mén)電路  由
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干貨分享:工程師教你如何設(shè)計(jì)D類(lèi)放大器

  •   D類(lèi)放大器首次提出于1958年,近些年已逐漸流行起來(lái)。那么,什么是D類(lèi)放大器?它們與其它類(lèi)型的放大器相比如何? 為什么D類(lèi)放大器對(duì)于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類(lèi)音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題?! ∫纛l放大器背景  音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz~20 kHz,因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
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對(duì)比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)

  • 在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中,CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn),高度優(yōu)化于成像應(yīng)用,并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門(mén)能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端,而是放置晶體管在每一像素內(nèi),來(lái)進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸,使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
  • 關(guān)鍵字: 成像系統(tǒng)  圖像傳感器  CCD  CMOS  201604  

什么是TTL電平、CMOS電平??jī)烧叩膮^(qū)別

  •   TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)形式連接的,下面來(lái)說(shuō)一下兩者的區(qū)別?! ∈裁词荰TL電平  TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定,+5V等價(jià)于邏輯"1",0V等價(jià)于邏輯"0",這被稱(chēng)做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng),這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)?! TL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制
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芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍

  •   整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗,但受到制程方面的限制,一直無(wú)法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文,表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù),制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。   據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),這顆整合7,000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片,采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作,與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容,因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
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使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題

  •   集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi),TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng),CMOS以功耗低而著稱(chēng),其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí),除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料,了解其引腳分布及極限參數(shù)外,還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題?! ?、電源問(wèn)題  (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V,但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí),最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬,故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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關(guān)于電路的那些常識(shí)性概念

  •   一.TTL  TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(mén)(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V電源?! ?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol  Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V  2.輸入高電平和輸入低電平  Uih≥2.0V,Uil≤0.8V  二.CMOS  CMOS電路是電壓控制器件,輸入電阻極大,對(duì)于干擾信號(hào)十分敏感,因此不用的輸入端不應(yīng)開(kāi)路,接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬,靜態(tài)功耗很小?! ?/li>
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歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)

  •   歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃,這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬(wàn)美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來(lái)的5G規(guī)格要求,以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。   除了IBM (瑞士),該計(jì)劃將由德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國(guó)LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
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安森美半導(dǎo)體推出先進(jìn)的1300萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器,采用SuperPD PDAF技術(shù)

  •   推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),進(jìn)一步擴(kuò)展成像方案產(chǎn)品陣容,推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件,針對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測(cè)自動(dòng)對(duì)焦(PDAF)像素技術(shù),提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對(duì)焦速度,即使微光低于25勒克斯(lux)。此外,AR1337通過(guò)采用其片上PDAF處理,大大簡(jiǎn)化集成到智能手機(jī)平臺(tái)和提高相機(jī)模塊集成商生產(chǎn)能力,較市場(chǎng)上其它
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CMOS傳感器,3D化發(fā)表接二連三

  •   在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日~2月4日,美國(guó)舊金山)上,與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關(guān)的發(fā)表接連不斷。在有9項(xiàng)演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上,有3項(xiàng)演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關(guān)的。以前業(yè)界就在做3D化嘗試,而此次的3項(xiàng)技術(shù)除了比原來(lái)具有更強(qiáng)的低成本和低功耗意識(shí)之外,還在3D化中輕松實(shí)現(xiàn)了“模塊化”。    ?   通過(guò)模塊化手段
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