cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)

0.65V 3mW CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

　　1 引言　　低噪聲放大器(Low Noise Amplifier，LNA)在微波∕射頻接收系統(tǒng)中處于前端位置，其性能指針的好壞對(duì)接收機(jī)整體性能有很大的影響。例如根據(jù)文獻(xiàn)[1]，對(duì)于由多級(jí)放大器組成的接收系統(tǒng)，其整機(jī)噪聲系數(shù)基本上取決于前級(jí)放大器的噪聲系數(shù)。典型地，接收機(jī)接收的信號(hào)強(qiáng)度在-120～-20 dBm之間，因而為了滿足系統(tǒng)要求，對(duì)LNA主要有以下要求：　　(1) 提供合適的增益放大信號(hào)，以減小后續(xù)電路對(duì)系統(tǒng)的噪聲影響。　　(2) 在放大過(guò)程中自身引入盡可能小的噪聲和信號(hào)失真。
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嵌入式系統(tǒng)中CMOS圖像傳感器接口技術(shù)

提出了CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器在嵌入式系統(tǒng)中的接口技術(shù)，通過(guò)設(shè)計(jì)軟件驅(qū)動(dòng)使嵌入式處理器能夠控制CMOS圖像傳感器圖像數(shù)據(jù)自動(dòng)采集。
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凌力爾特推出CMOS 運(yùn)算放大器 LTC6081 和 LTC6082

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 CMOS 運(yùn)算放大器 LTC6081 和 LTC6082，這兩款器件在 -40oC 至 +125oC 的整個(gè)溫度范圍內(nèi)以 3.5MHz 的增益帶寬和低于 90uV 的偏移突破了精確度極限。雙路 LTC6081 和四路 LTC6082 具有軌至軌輸入和輸出級(jí)，實(shí)現(xiàn)了僅為 1.3uVp-p 的低頻噪聲以及在 25oC 時(shí)最大為 1pA 的低輸入偏置電流，非常適用于精密儀器。 LTC6081 和 LTC6082
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射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點(diǎn)

支持手機(jī)功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國(guó)無(wú)線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國(guó)內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補(bǔ)了中國(guó)TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM雙模射頻芯片”。CMOS工藝正逐漸取代硅鍺BiCMOS工藝和硅BiCMOS工藝成為射頻芯片的主流工藝，與此
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安森美推出便攜設(shè)備電源穩(wěn)壓應(yīng)用的低壓降穩(wěn)壓器

安森美半導(dǎo)體推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝，非常適合電池供電的消費(fèi)類產(chǎn)品和微處理器控制的便攜應(yīng)用，如手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達(dá)300毫安(mA)的電流，特別結(jié)合了工藝與架構(gòu)，能夠提供快速的客戶反應(yīng)和極高的靈活性。0.8伏(V)到5 V的電壓范圍能夠配合客戶的不同需求。無(wú)論使用哪種類型的電容，或在空載條件下，NCP590都能穩(wěn)定工作。
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市場(chǎng)趨于飽和 CMOS圖象傳感器已日薄西山？

在經(jīng)歷了一段時(shí)間的瘋狂增長(zhǎng)之后，CMOS傳感器市場(chǎng)市場(chǎng)終于衰退下來(lái)。最近有報(bào)導(dǎo)稱，在CMOS圖象傳感情市場(chǎng)一片頹勢(shì)的情況下，全球最大CMOS圖象傳感器供應(yīng)商美光公司正在準(zhǔn)備剝離這一業(yè)務(wù)。 OmniVision、三星、意法半導(dǎo)體和東芝等CMOS圖象傳感器市場(chǎng)的其它供應(yīng)商也同樣經(jīng)歷了一段混亂時(shí)期。 ICInsights公司分析師Ro
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安華高科技推出采用65 nm CMOS工藝的SerDes

Avago Technologies(安華高科技)宣布，已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術(shù)上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續(xù)其在嵌入式SerDes技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位，Avago最新一代的工藝技術(shù)能夠節(jié)省高達(dá)25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬(wàn)通道數(shù)的SerDes總出貨量，Avago在提供可靠高性能知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)上擁有輝煌穩(wěn)定的紀(jì)錄，現(xiàn)在更以65 nm工藝上經(jīng)驗(yàn)證的17 Gbps SerDes性能將
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單一集成電路形成廉價(jià)的電感測(cè)試儀

這個(gè)設(shè)計(jì)思路展示給大家如何去創(chuàng)建一個(gè)可靠、低成本、簡(jiǎn)單的電感測(cè)試儀。這個(gè)測(cè)試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過(guò)電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益，這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信號(hào)就是可以驅(qū)動(dòng)輸出端得高低。
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德州儀器發(fā)布高精度CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列

日前，德州儀器(TI)宣布推出支持大輸出電流的3ppm/℃最大溫度漂移、高精度、低成本CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列——REF50xx。該系列產(chǎn)品提供的超高精度與系統(tǒng)性能等級(jí)，先前只有成本高昂的掩埋齊納技術(shù)才能提供。雖然REF50xx主要面向新一代工業(yè)過(guò)程控制，但是也廣泛適用于多種應(yīng)用，其中包括醫(yī)療儀器、高精度數(shù)據(jù)采集以及測(cè)試與測(cè)量等。 REF50xx具有+/-10mA的大輸出電流范圍，能夠?yàn)锳DC提供精確的電壓基準(zhǔn)，而無(wú)需額外運(yùn)放緩沖器。高精度(0.05%最大
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Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)

　　日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，這些器件將高開(kāi)關(guān)速度與高信號(hào)帶寬進(jìn)行了完美結(jié)合，可用于眾多開(kāi)關(guān)應(yīng)用，其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。　　Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個(gè)可獨(dú)立選擇的 44V SPST 開(kāi)關(guān)，每個(gè)均具有 4Ω 的典型導(dǎo)通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個(gè)參數(shù)是低失真音頻信號(hào)開(kāi)關(guān)的理想?yún)?shù)。　　所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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超高速0.18μm CMOS復(fù)接器集成電路設(shè)計(jì)

CMOS工藝具有價(jià)格便宜、集成度高、功耗低的特點(diǎn)。隨著CMOS工藝的發(fā)展，器件特征頻率大幅提高，采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設(shè)計(jì)的單片集成超高速4：1復(fù)接器。
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富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案

　　富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會(huì)社、富士通微電子美國(guó)公司（FMA）以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導(dǎo)體公司（Jazz）將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設(shè)備的片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號(hào)專業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合，使兩家公司能夠?yàn)镾oC客戶提供高性能的客戶自有工具（COT）代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝，提供給捷智高精度的RF模型
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低電壓CMOS運(yùn)算放大器輸入級(jí)的研究

近年來(lái)，電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長(zhǎng)電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個(gè)系統(tǒng)同時(shí)封裝和制造在一個(gè)芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對(duì)數(shù)字集成電路，也同樣針對(duì)于模擬集成電路。由于數(shù)字集成電路工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，通過(guò)合理減小電路尺寸，不難滿足其要求。但是，對(duì)于模擬集成電路，由于場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電
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CMOS在大范圍醫(yī)療及其他新型圖形傳感器應(yīng)用中贏得市場(chǎng)

目前，傳統(tǒng)的電荷耦合設(shè)備（CCD）圖像傳感器技術(shù)已不能滿足工業(yè)及專業(yè)圖像抓?。╥mage capture）應(yīng)用的需要?；跇?biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性以及在各種系統(tǒng)環(huán)境下表現(xiàn)出的易集成性在醫(yī)用電子產(chǎn)品行業(yè)中開(kāi)創(chuàng)出了一個(gè)全新領(lǐng)域，為用戶提供了更多選擇。從CCD到CMOS：大勢(shì)所趨在過(guò)去三十年左右的時(shí)間里，CCD技術(shù)一直被用于圖像轉(zhuǎn)換。CCD是一種成熟的技術(shù)，能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數(shù)據(jù)的串行傳輸。為
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cmos digital image sensor介紹

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