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電子元件基礎(chǔ)知識(shí)--半導(dǎo)體三極管
- BJT是通過一定的工藝,將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)合在一起的器件,由于PN結(jié)之間的相互影響, 使BJT表現(xiàn)出不同于單個(gè) PN結(jié)的特性而具有電流放大,從而使PN結(jié)的應(yīng)用發(fā)生了質(zhì)的飛躍。本節(jié)將圍繞BJT為什么具有電流放大作用這個(gè)核心問題,討論BJT的結(jié)構(gòu)、內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)過程以及它的特性曲線和參數(shù)。 一、BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介 BJT又常稱為晶體管,它的種類很多。按照頻率分,有高頻管、低頻管; 按照功率分,有小、中、大功率管;按照半導(dǎo)
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賽靈思90nm和65nm產(chǎn)品線銷售創(chuàng)新紀(jì)錄
- 賽靈思公司宣布,其90nm和65nm器件的銷售在亞太地區(qū)創(chuàng)紀(jì)錄營(yíng)收的大力推動(dòng)下,創(chuàng)造了一個(gè)新的紀(jì)錄。賽靈思90nm和65nm器件在消費(fèi)和通信領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,是促使其收獲此次強(qiáng)勁增長(zhǎng)的主要原因。在2008財(cái)年9月結(jié)束的第二個(gè)財(cái)季里,這些產(chǎn)品在亞太區(qū)的銷售比2006財(cái)年的同一季度增長(zhǎng)了近五倍。賽靈思預(yù)計(jì)其90nm和65nm產(chǎn)品在PLD市場(chǎng)的累積市場(chǎng)份額已經(jīng)接近70%。 "隨著亞洲客戶越來越多地采用賽靈思解決方案來滿足他們?cè)诩夹g(shù)和上市時(shí)間上的要求,賽靈思的90nm和65nm產(chǎn)品贏得的設(shè)計(jì)數(shù)量也不斷地創(chuàng)
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Semitel推出超低電容高分子ESD保護(hù)元件
- 全面線路保護(hù)方案供應(yīng)商Semitel繼半導(dǎo)體ESD全面保護(hù)方案之后,結(jié)合新材料和多層印制線路板技術(shù),推出了超低電容的高分子ESD的專利產(chǎn)品。目前其產(chǎn)品的電容值最低已經(jīng)能做到0.15pF,完全適合超高速傳輸?shù)膽?yīng)用場(chǎng)合。 在需要超高速傳輸信號(hào)的場(chǎng)合,如高清晰多媒體接口(HDMI),數(shù)字影像接口(DVI),USB2.0接口,手機(jī)天線等,其傳輸速率多在3Gbps以上,當(dāng)保護(hù)器件的電容大于1pF時(shí),其寄生電容會(huì)對(duì)信號(hào)的傳輸造成非常大的影響。采用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝制作的半導(dǎo)體ESD保護(hù)元件,其電容一般都在幾個(gè)
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電子元器件基礎(chǔ):集成電路應(yīng)用電路識(shí)圖方法
- 在無線電設(shè)備中,集成電路的應(yīng)用愈來愈廣泛,對(duì)集成電路應(yīng)用電路的識(shí)圖是電路分析中的一個(gè)重點(diǎn),也是難點(diǎn)之一。 1.集成電路應(yīng)用電路圖功能 集成電路應(yīng)用電路圖具有下列一些功能: ①它表達(dá)了集成電路各引腳外電路結(jié)構(gòu)、元器件參數(shù)等,從而表示了某一集成電路的完整工作情況。 ②有些集成電路應(yīng)用電路中,畫出了集成電路的內(nèi)電路方框圖,這時(shí)對(duì)分析集成電路應(yīng)用電路是
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Maxim推出DS3605 SRAM控制器
- Maxim推出DS3605 IC兼容、安全、非易失(NV) SRAM控制器,內(nèi)置篡改檢測(cè)。該NV SRAM控制器專為密鑰安全性至關(guān)重要的應(yīng)用設(shè)計(jì),允許用戶指定自己的外部SRAM。當(dāng)檢測(cè)到篡改事件時(shí),DS3605快速擦除該外部SRAM上的密鑰。為了進(jìn)一步提高安全性,該器件還集成了實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、電池備份控制器、系統(tǒng)電源監(jiān)視器、CPU監(jiān)控器、溫度傳感器以及四路通用篡改檢測(cè)比較器輸入。DS3605所具有的高集成度以及先進(jìn)的安全性能,使其對(duì)于安全交易終端以及其他安全敏感應(yīng)用非常理想。 DS3605還
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元器件知識(shí)大全:電子管的基礎(chǔ)知識(shí)
- 電子管的基本參數(shù): 1.燈絲電壓:V; 2.燈絲電流:mA; 3.陽極電壓:V; 4.陽極電流:mA; 5.柵極電壓:V; 6.柵極電流:mA; 7.陰極接入電阻:Ω; 8.輸出功率:W; 9.跨導(dǎo):mA/v; 10.內(nèi)阻: kΩ。 幾個(gè)常用值的計(jì)算: 放大因數(shù) μ=陽極電壓Uak/柵極電壓Ugk表示在維持陽極電流不變的情況下,陽極電壓與柵極電壓的比值。 跨導(dǎo) S=陽極電流Ia/柵極電壓Ugk表示在維持陽極電壓不變的情況下,柵極電壓若有一個(gè)單位(如mV)的電壓變化時(shí)將引起陽極電流有
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降低大功率擴(kuò)音機(jī)啟動(dòng)電流的方法
- 看罷《大功率擴(kuò)音機(jī)的改動(dòng)維修》(原文見《2004年電子報(bào)合訂本》<上>第30頁右下角)一文,很是令人困惑。該文所附電路圖明顯錯(cuò)誤:2萬微法的大電解電容直接和1千瓦的大電源變壓器次級(jí)繞組并聯(lián)!其附加的"限流延時(shí)電路",令人費(fèi)解(見原文所附電路圖)。 原文作者在大功率擴(kuò)音機(jī)主電源變壓器T1的初級(jí)繞組回路中,通過"延時(shí)電路"串入一只50μF/400V電容C3(關(guān)于C3串入后對(duì)擴(kuò)大機(jī)性能有無影響,這暫且不談),這樣的確能在開機(jī)瞬間,通過限定電源變壓器T1的初級(jí)繞組回路中的電流,來限制T1次級(jí)整流電路對(duì)
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NS推出內(nèi)置電壓參考電路的最高準(zhǔn)確度微功率比較器
- 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司宣布推出一款內(nèi)置2.048V電壓參考電路的全新低功率高精度比較器,其特點(diǎn)是設(shè)有可調(diào)節(jié)遲滯功能,可為電源供應(yīng)和電池監(jiān)控系統(tǒng)、傳感器接口以及閾值檢測(cè)器提供最準(zhǔn)確的信號(hào)檢測(cè)功能。 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體這款LMP7300芯片的可調(diào)節(jié)遲滯功能不但可以提高比較器的抗噪聲干擾能力,而且芯片的設(shè)計(jì)具有高度的靈活性,讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師可以準(zhǔn)確設(shè)定對(duì)稱或非對(duì)稱的正、負(fù)雙向閾值跳轉(zhuǎn)點(diǎn),確保芯片不會(huì)提供錯(cuò)誤讀數(shù)。此外,這兩個(gè)閾值跳轉(zhuǎn)點(diǎn)均各自獨(dú)立,以免產(chǎn)生相互影響,因此有助于精簡(jiǎn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 這款比較器的偏
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看圖識(shí)元件-硬件高手必備電子知識(shí)-電容器
- 電容器 除電阻器外最常見的就是電容器了,簡(jiǎn)單地講電容器就是儲(chǔ)存電荷的容器。對(duì)于電容的外形可能多數(shù)搞硬件的人都知道,所以筆者只簡(jiǎn)單說一說。常見的電容按外形和制作材料分類可分為:貼片電容、鉭電解電容、鋁電解電容、OS 固體電容、無極電解電容、瓷片電容、云母電容、聚丙稀電容。 其中貼片電容在電腦主機(jī)內(nèi)的各種板卡上最為常見,但只有少量的貼片電容才有標(biāo)識(shí),有標(biāo)識(shí)的貼片電容的容量讀取方法和貼片電阻一樣,只是單位符號(hào)為pF (1000000pF =1 μF ),至于多數(shù)貼片電容為什么多數(shù)
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TI單片無濾波器D類放大器面向便攜應(yīng)用
- 日前,德州儀器(TI)宣布推出一款集成升壓轉(zhuǎn)換器的單片無濾波器D類音頻功率放大器TPA2013D1,該器件能為各種便攜式應(yīng)用提供恒定輸出功率,如個(gè)人導(dǎo)航設(shè)備、PDA、移動(dòng)電話、便攜式媒體播放器以及手持式游戲機(jī)等。由于結(jié)合了2.7W的D類放大器與集成式升壓轉(zhuǎn)換器,整體效率達(dá)到85%,用戶播放音樂或打電話時(shí)的熱損耗很小,從而有助于延長(zhǎng)電池使用壽命。 TPA2013D1通過較低電源電壓即可生成較高輸出功率,而不會(huì)造成音頻失真,還能為各種外部器件供電,如TI的TPA2010D1與其它類似的D類放大器。該
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)asic 制造的理解,并與今后在此搜索asic 制造的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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