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sic肖特基二極管 文章 進入sic肖特基二極管技術社區(qū)

Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管，提升高頻應用效率

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率，在同類二極管中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓降之間實現(xiàn)了出色的平衡。日前發(fā)布的二極管包括40 A至240 A的并聯(lián)雙二極管組件，以及50 A至90 A單相橋器件。這些二極管基于先進的薄晶圓技術制造，正向壓降低至1.36 V，顯著減小導通損耗，提高能效。此外，與硅基二極管相
  • 關鍵字： Vishay  SiC肖特基二極管  

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管，提升開關電源設計能效和可靠性

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)設計，具有高浪涌電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC?2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB
  • 關鍵字： Vishay  SiC肖特基二極管  開關電源  

Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管

  • 器件采用MPS結(jié)構(gòu)設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關電源設計
  • 關鍵字： Vishay  SiC肖特基二極管  
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